Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2

• Автор: Мамедов, Амандурды
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ашхабад
• Количество страниц: 214 c. : ил

1. ФИЗИКА И ХИМИЯ ТРОЙНОГО СОЕДИНЕНИЯ 6ЫУгЛв2 (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
1.1. Кристаллическая структура соединений
1.2. Исследования зонной структуры кристаллического
Сс/Зг'А$2
1.3. Исследование явлений переноса носителей заряда В Сс/31А$2
1.4. Исследования электрически активных дефектов решетки
1.5. Фоточувствительность и рекомбинация носителей заряда
1.6. Постановка задачи
2. МЕТОДИКА ЖСПЕРИМЕНТА
2.1. Метод получения монокристаллов соединения Сс/$1'А$3 из раствора в расплаве
2.2. Методика термообработки кристаллов
2.3. Подготовка образцов к измерениям
2.4. Методика измерения кинетических коэффициентов
2.5. Методика измерения спектров фотопроводимости
2.6. Методика исследования излучательной рекомбинации
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
И УСЛОВИЙ ЛЕГИРОВАНИЯ СОЕДИНЕНИЯ Сс/ЗгА$2
3.1. Электрические свойства специально не легированных монокристаллов р- Сс/$гА$3
3.1.1. Энергетический спектр уровней акцепторов
3.1.2. Механизм рассеяния дырок

3.2. Электрические свойства монокристаллов р-типа, легированных химическими примесями
3.2.1. Исследование температурных зависимостей кинетических коэффициентов
3.2.2. Температурная зависимость холловской подлинности дырок
3.2.3. Энергетический спектр дырок в легированных посторонними химическими примесями кристаллах
3.2.4. Легирование тетраэдрических стекол
3.3. Исследование поведения радиационных дефектов
в кристаллах Со/ЗгАз^ и ^/гб'гИб^
3.3.1. Электрические свойства кристаллов р-Сс/$гА$2
и р-2?П$гА&2, облученных электронами
3.3.2. Электрические свойства кристаллов р- Сс/<$1'А$2
и р- 2Г/7<5¥/4%, облученных протонами
3.3.3. Закономерности поведения радиационных дефектов
в соединениях Сс/ЗгА^ и
3.4. Влияние равновесия кристалл-пар на электрические свойства кристаллов Сс/$гА$2
3.4.1. Условия термодинамического равновесия
3.4.2. Экспериментальные результаты термообработки
3.4.2.1. Термообработка в условиях минимального свободного объема
3.4.2.2. Термообработка в насыщенных парах мышьяка
3.4.2.3. Термообработка в насыщенных парах кадмия
3.4.2.4. Термообработка в условиях минимального общего давления
3.4.2.5. Термообработка в присутствии чистого индия
3.4.3. Электрические свойства слоев Сс/ЗгА$2 /г-типа
проводимости

3.4.4. Обсуждение результатов термообработки Сс/ЗгАв? Ц4
Краткие выводы по главе
4. ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ Сс/$гАз2
4.1. Фотоэлектрические свойства монокристаллов р-типа проводимости, выращенных без легирующих примесей
4.1.1. Характеристика исследованных образцов
4.1.2. Исследования фоточувствительности в зависимости
от концентрации дырок в образцах
4.2. Изучение влияния термообработки кристаллов р-типа
в различных условиях
4.2.1. Спектры фотопроводимости кристаллов р-типа проводимости
4.2.2. Спектры фотопроводимости слоев /7-типа проводимости
4.3. Фотоэлектрические свойства монокристаллов р-типа, однородно легированных примесями в процессе выращивания
4.3.1. Характеристика исследованных образцов
4.3.2. Спектры фоточувствительности Сс/ЗгА$2 в зависимости от природы легирующих примесей
4.3.3. Влияние легирования на параметры фотопроводимости Сс/ЗгЛ$2
4.4. Исследования анизотропии фотоактивного поглощения монокристаллов Сс/ЯгАзр
4.4.1. Фотопроводимость специально не легированных кристаллов
4.4.2. Фотопроводимость однородно легированных примесями кристаллов
4.5. Рекомбинационное излучение (РИ) монокристаллов р-типа проводимости,выращенных без легирующих примесей

Рис. 19 . Стереографические проекции плоскостей и направлений отражённых лучей от сколов (110), (101), (102) и (112). Штриховые линии соответствуют положениям отражённых от плоскости (НО) лучей , видимых на экране. А| и А£ - положения лучей , отражённых от (112) и (112) ; В - положения лучей, отражённых от (НО)