Исследование парциальных межатомных расстояний в приповерхностных слоях бинарных систем на основе алюминия

• Автор: Шамин, Виктор Аркадьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Ижевск
• Количество страниц: 148 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Метод ЕЕЬЕБ и его применение для изучения локальной атомной структуры приповерхностных слоев твердых тел
1.1. Распределение электронов по энергии в методах электронной спектроскопии
1.2. Экспериментальные особенности метода ЕЕЬЕЗ
1.3. Теоретические аспекты метода ЕЕЬЕЗ
1.4. Экспериментальное применение метода ЕЕЬЕЭ для исследования бинарных систем
1.5. Основы математической обработки спектров протяженных тонких структур однокомпонентных веществ
1.6. Основы математической обработки спектров протяженных тонких структур для многокомпонентных систем
1.7 Выводы
1.8 Постановка задачи
ГЛАВА 2. Методика эксперимента и предварительная математическая обработка спектров
2.1. Краткое описание экспериментальной установки
2.2. Методика подготовки поверхности образцов
2.3. Получение экспериментальных спектров ЕЕЬЕЗ
2.4. Учет аппаратурного уширения в спектрах ЕЕЬГ8
2.4.1. Методика учета аппаратурного уширения
2.4.2. Результаты учета аппаратурного уширения в спектрах ЕЕЬЕБ
2.5. Методика предварительной обработки ЕЕЬЕБ спектров
2.6. Доверительный интервал получаемых межатомных
расстояний
2.7. Выводы
ГЛАВА 3. Исследование чистых поликристаллических образцов алюминия и серебра методом ЕЕЬЕБ
3.1. Поликристаллический алюминий
3.2. Поликристаллическое серебро
3.3. Выводы
ГЛАВА 4. Изучение локальной атомной структуры
приповерхностных слоев бинарных систем на основе алюминия методом ЕЕЬГЗ
4.1. Исследование окисной пленки на поверхности штюминия
4.1.1. Исследование процесса окисления поверхности алюминия
4.1.2. Определение парциальных межатомных расстояний в окисной пленке алюминия
4.2. Исследование локальной атомной структуры бинарной системы А1
4.2.1. Определение парциальных межатомных расстояний в сплаве А1 - 20°/<А после высокотемпературного старения ЗАКЛЮЧЕНИЕ ЛИТЕРАТУРА

Введение
Для понимания процессов, происходящих на поверхности твердого тела, необходимо знать не только химическую природу присутствующих на ней атомов, но и их пространственное расположение. С прикладной точки зрения, изучение атомной структуры поверхности и приповерхностных слоев важно при анализе роста пленок, адсорбции атомов, катализе, облучении поверхности заряженными частицами и в других областях, которые имеют дело с тонкими приповерхностными слоями твердых тел.
Успешное развитие техники сверхвысокого вакуума, а также методов исследования поверхности, таких как дифракция медленных электронов, Оже-электронная и рентгеновская фото-электронная спектроскопии послужило толчком к созданию новых методов для изучения поверхности.
В начале 80-х годов появилось новое научное направление - анализ протяженных тонких структур, возникающих в электрон-инициированных электронных спектрах за пиками различных порогобых процессов. Эти методы позволяют проводить исследования локальной атомной структуры поверхности и приповерхностных слоев образцов, способствовать пониманию механизмов реконструкции и релаксации поверхности. Развитие этого направления спектроскопических исследований обещает привести к существенному прогрессу в физике твердого тела и особенно в физике поверхности.
К таким методам относится быстро развивающийся метод, основанный на анализе протяженной тонкой структуры спектров энергетических потерь электронов. Международное название - Extended Energy Loss Fine Structure (EELFS) [1]. Здесь и далее в виду громоздкости русского акронима будет применяться международное сокращение.

н(А)
Рис. 1.10. Верх: Фурье-образы ЕЕЬРБ спектров Сг Ь2,з края для различных толщин пленок Сг, осажденных на поликристаллический графит [60]. Штриховая линия обозначает положение соседнего атома в объеме. Поправка на фазовый сдвиг не учтена. Низ: зависимость процентного сокращения межатомного расстояния от обратного среднего диаметра (1 кластеров Сг. Получено из анализа Фурье-образов на верхнем рисунке.