Нелинейные электромеханические свойства сегнетоэлектриков с несоразмерными фазами

• Автор: Каллаев, Сулейман Нурулисланович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 244 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ИЗМЕНЕНИЕМ МАКРОСКОПИЧЕСКОГО КВАДРУПОЛЬНОГО МОМЕНТА ДИЭЛЕКТРИКОВ
1.1 Макроскопический квадрупольный момент кристалла
1.2 Методы регистрации изменения макроскопического квадрупольного момента
1.2.1 Спонтанное изменение квадрупольного момента
1.2.2 Квадрупольный момент, индуцированный внешни-
ми воздействиями
1.3 Распределение электрического поля, отвечающее квад рупольному моменту образца кристалла
1.4 Квадрупольные эффекты в центросимметричных кристаллах вне области фазовых переходов. Квадру -польный пьезоэлектрический эффект
1.5 Изменение квадрупольного момента в области не-сегнетоэлектрических фазовых переходов
1.6 Способ исследования доменной структуры полярных кристаллов
Глава II ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
С НЕСОРАЗМЕРНЫМИ ФАЗАМИ
2.1 Феноменологическая теория
2.2 Макроскопический квадрупольный момент несораз

мерной фазы сегнетоэлектрика
2.3 Спонтанное изменение квадрупольного момента
2.4 Влияние внешних воздействий на квадрупольный момент
2.5 Квадрупольные эффекты в кристалле, имеющем тер -модинамический потенциал с анизотропным инвариантом шестой степени
2.6 Квадрупольные эффекты в несоразмерной полярной
фазе
2.7 Последовательность фазовых переходов и квадрупольные электромеханические эффекты в кристаллах три-гидроселенита рубидия
2.8 Количественный анализ аномальных компонент квадрупольного момента
Глава III ПОДАВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВА МАЛЫМИ ОДНООСНЫМИ МЕХАНИЧЕСКИМИ НАПРЯЖЕНИЯМИ В КРИСТАЛЛАХ СО МНОЖЕСТВОМ СТРУКТУРНЫХ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ
3.1 Влияние одноосных механических напряжений на сегнетоэлектрические свойства кристаллов
тмА-гпС14
3.2 Влияние одноосного давления на полидоменную структуру полярной фазы кристалла ТМА- ЪпСХц
3.3 Влияние одноосных механических напряжений сжатия на электрические свойства и структурные фазовые пе реходы кристаллов ТМА-СоСЦ
3.4 Многоволновые рдулированные состояния в кристаллах ТМА-гпСЦ

3.5 Фазовые диаграммы «напряжение-температура» кри -сталлов ТМА-гп(Со)С14
3.6 Анизотропия эффекта подавления сегнетоэлектричест-
ва одноосным напряжением
Глава IV АНОМАЛИИ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ В ОБЛАСТИ ПЕРЕХОДОВ НЕПОЛЯРНАЯ - НЕСОРАЗМЕРНАЯ -ПОЛЯРНАЯ ФАЗЫ
4.1 Аномалии диэлектрических свойств кристаллов
в области фазовых переходов
4.2 Влияние внешних воздействий на электрические свойства кристаллов СвгНСи в области фазовых перехо

4.3 Теплоемкость кристаллов в области фазовых
переходов
4.4 О спонтанной поляризации в несоразмерной фазе сег-нетоэлектрика
4.5 Пьезоэлектрические свойства и спонтанный дипольный момент в области несоразмерных фаз в кристаллах тригидроселенита рубидия
4.6 Термополяризационный эффект в несоразмерной фазе кристалла
4.7 Влияние одноосных механических напряжений на диэлектрические свойства и сегнетоэлектрические переходы кристаллов тиомочевины
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

казано на рис 66 . Зависимость <р от R3/a3 измерялась для тех же значений |R2|/a2, для которых проводился расчет. Зависимость ф от R j/a, с точностью до ошибки измерений не обнаружена.
Сравнивая результаты расчета и измерений распределения поля вблизи грани образца, показанного на рис.6а и 66 , можно видеть, что их качественный характер, в основном, одинаков и начинает различаться только при приближении к ребрам образца, т.е. вблизи значений |R3|/a3 = l. Близость границ проявляется также в
том, что при всех значениях |R2|/a2 экспериментальная зависимость проходит через максимум при меньших значениях |R3|/a3,
чем расчетная. Наиболее отчетливо это различие выражено при |R2|/a2 = l, т.е. при перемещении зондов непосредственно по поверхности образца.
Несовпадение результатов расчета и непосредственных измерений, по-видимому, обусловлено неоднородностью кристалла, которая приводит к тому, что принятое при расчете приближение qu = const во всем образце не вполне соответствует реальной ситуации, и в результате распределение поля искажается особенно заметно в тех точках, где напряженность поля должна иметь максимальную величину. Неоднородность кристалла может быть связана с нарушением структуры приповерхностных слоев и дефектами. Необходимо отметить также, что нарушение условия qu = const,
совершенно неизбежно и в бездефектном кристалле, так как в тех участках образца, где проникающее на определенное расстояние от его поверхности поле Е*0, образец должен поляризоваться и деформироваться благодаря электрострцкции, стремясь уменьшить величину Е как внутри, так и вне своего объема. У границ образца,