Исследование фазового состава и субструктуры силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением пленок металлов на кремнии

• Автор: Кущев, Сергей Борисович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 260 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
1. МАТЕРИАЛЫ, СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК, МЕТАЛЛ-МЕТАЛЛ, БьСИЛИ-ЦИД МЕТАЛЛА, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКИ ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
1.1. Материалы, подготовка исходных структур
1.2. Получение одинарных пленок Рс1, РГ Мо на СаБ2для исследования ориентации и структуры в гетерострутурах металл-диэлектрик
1.3. Выращивание двухслойных пленок Аи-РГ 14 - Аи, Рг
У - Мо, Мо - Аи, Мо - Ле, Р1 - Ле и 1г
1.4. Получение пленок Аи, РД Рг №, П и Мо на кремнии и формирование силицидов при вакуумной конденсации на подогреваемые подложки Б1
1.5. Формирование силицидов металлов методом импульсной фотонной обработки и термическим отжигом
1.6. Методика подготовки образцов для электронномикроскопических исследований
1.7. Анализ фазового и элементного состава, структуры и ориентации пленок силицидов
1.8. Измерения электрических параметров
2. ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕМЕНТНОГО И ФАЗОВОГО СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ ОТ РЕЖИМОВ ОБРАБОТКИ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ НА КРЕМНИИ
2.1. Система кремний - платина
2.1.1. ИФО пленок Р1 на моно-Бд нанесенных методом ионноплазменного распыления
2.1.2. ИФО на воздухе пленок РТ нанесенных на поли-Бі методами магнетронного и ионно-плазменного распыления
2.1.3. ИФО в вакууме пленок РГ нанесенных на поли-Бі методом магнетронного распыления
2.1.4. ИФО в вакууме пленок РТ нанесенных на а-Бі методом магнетронного распыления
2.1.5. ИФО пленок Рг на 8Ю2, полученных методом ионно-плазменного распыления
2.1.6. Термический отжиг пленок 14 на (111)8і, полученных ионно-плазменным распылением
2.1.7. Образование силицидов Р1 при вакуумной конденсации металла на (111)8і
2.1.8. Электрофизические свойства контактно - металлизационной системы Б і
2.2. Система кремний - палладий
2.2.1. ИФО пленок Рё на мономі, нанесенных методом ионноплазменного распыления
2.2.2. Эффект взаимного перемешивания компонентов
2.2.3. ИФО пленок Рё на 8Ю2, нанесенных методом ионно-плазменного распыления
2.2.4. Термическая обработка Рё на (ООЦБі
2.2.5. Образование силицидов Рё при вакуумной конденсации металла на (111)8і. Эффект ювенильной поверхности
2.2.6. Удельное сопротивление пленок системы 8І
2.3. Система кремний - никель
2.3.1. ИФО в вакууме пленок № на моно-8і
2.3.2. Термический отжиг в среде водорода пленок МГі на (111)Бі
2.3.3. Пленки N1 на 8Ю2: ИФО в вакууме
2.3.4. Образование силицидов № при вакуумной конденсации металла на (111)Бі
2.3.5. Удельное сопротивление пленок системы №
2.4. Система кремний - титан
2.4.1. Структура пленок Ті на (111)8і
2.4.2. ИФО пленок Ті на (111)8і и БЮ2
2.4.3. Система а-Бі
2.4.4. Система 8Ю2
2.4.5. Образование силицидов Ті при вакуумной конденсации металла на (111) и (001)81
2.4.6. Удельное сопротивление пленок системы Б і
2.5. Система кремний - молибден
2.5.1. ИФО пленок Мо на моно-8і и 8Ю2
2.5.2. ИФО пленок Мо на а-Бі
2.5.3. Образование силицидов Мо при вакуумной конденсации металла на монокристаллическом кремнии ориентации (111) и (001)
2.5.4. Термический отжиг в вакууме пленок Мо на (001)8і
2.5.5.Удельное сопротивление пленок системы 8і
2.6. Система кремний - золото
2.6.1. ИФО пленок Аи на (001)8і и 8Ю2 на воздухе
2.6.2. Влияние способа формирования эвтектики Аи-Бі на электрофизические параметры ИС
2.7. Заключение и выводы
3. ОБЩИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ СОПРЯЖЕНИЯ И ДИСЛОКАЦИОННАЯ СУБСТРУКТУРА МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ
3.1. Исследование общих закономерностей сопряжения кристаллических решеток в пленочных системах металл-металл, металл на

Для численного решения воспользуемся методом конечных разностей
III. Покроем область моделирования пространственно-временной сеткой и заменим задачу определения перегревов 0(7, т) в любой момент времени и в
любой координате задачей нахождения перегревов 0 в узловых точках (г„, т3), где п = 1,2
Используя аппроксимацию для временной производной (1.9) с помощью "разности вперед", а для координатной производной с помощью "центральной разности", получим явную разностную схему
Ср-р'5£т“=91+7'К,-2в;,вД (1.16)
(Ас)
которая должна быть записана для областей 1 и 2 (для 01 и 02).
Добавление начальных и граничных условий в конечно-разностном виде позволяет полностью поставить и решить задачу. Заданию начальных условий соответствует задание всех значений 0 = 20„ = 0, где п+1, N.
Граничные условия (1.12) для поверхностей г = Ь2 и г = 0 в конечноразностном виде можно записать следующим образом
-Х2М + а,2.е=0, (1Л7)
Граничные условия (1.13) и (1.14) на поверхности г = 1ц представляется в следующем виде
(1.18)
Разностная схема (1.16) называется явной, так как позволяет искомые значения сеточной функции 0 выразить в явном виде через ранее найден-