Статистическая теория динамических обменных эффектов в структурах типа перовскита

• Автор: Кызыргулов, Ильгиз Раянович
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Уфа
• Количество страниц: 125 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МАГНИТОУПРУГОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В СТРУКТУРАХ
ТИПА ПЕРОВСКИТА
§ 1. Магнитная структура соединения УВа2Си3Оу
§ 2. Гамильтониан системы
§ 3. Спектр связанных магнитоупругих волн
§ 4. Эффект обменного усиления магнитоупругой связи
§ 5. Спектр спиновых волн в антиферромагнетиках с неколлинеарными магнитными подрешетками
ГЛАВА 2. СВЯЗАННЫЕ СЕГНЕТОМАГНИТОУПРУГИЕ ВОЛНЫ
В АНТИСЕГНЕТОФЕРРОМАГНЕТИКАХ
§ 6. Гамильтониан антисегнетоферромагнетика
§ 7. Дисперсионное уравнение
§ 8. Исследование магнитоэлектрического взаимодействия
§ 9. Эффект динамического усиления магнитоэлектрической связи
ГЛАВА 3. СПЕКТР СВЯЗАННЫХ СЕГНЕТОМАГНИТОУПРУГИХ
КОЛЕБАНИЙ В АНТИСЕГНЕТОАНТИФЕРРОМАГНЕТИКАХ
§ 10. Общее рассмотрение связанных сегнетомагнитоупругих волн в антисегнетоантиферромагнетиках
§11. Обменное усиление магнитоэлектрического взаимодействия

в антисегнетоантиферромагнетиках с орторомбической
симметрией
§ 12. Обменное усиление магнитоэлектрического взаимодействия в антисегнетоантиферромагнетиках с кубической симметрией
ГЛАВА 4. СПЕКТР СВЯЗАННЫХ СЕГНЕТОМАГНИТОУПРУГИХ
КОЛЕБАНИЙ В СЛОЖНЫХ СЕГНЕТОМАГНЕТИКАХ
§ 13. Исследование связанных сегнетомагнитных волн в антисегнетоантиферромагнетиках с четырехподрешеточной
магнитной подсистемой
§ 14. Магнитоупругие волны в многоподрешеточных системах...99 § 15. Спин-волновая динамика высокотемпературных сверхпроводящих соединений
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) явилось выдающимся событием в физике, химии и технологии современности и породило надежду на революционный переворот в сильноточной электротехнике, микроэлектронике, информационно-вычислительной технике, технике физического эксперимента. Однако многочисленные экспериментальные исследования, проведенные в течение последних лет, показали, что новые ВТСП материалы, несмотря на высокую критическую температуру (Тс=120 К), значительно уступают хорошо апробированным низкотемпературным сверхпроводникам по своим характеристикам, таким как критическая плотность тока, нижнее критическое поле. Кроме того, новые сверхпроводники обладают низкими технологическими качествами: зернистостью структуры, гранулярностью и, как результат, механической хрупкостью. Все это не дает возможности использовать новые ВТСП материалы в сильноточной электротехнике, но использование их в микроэлектронике и в информационновычислительной технике в настоящее время быстро развивается, несмотря на то, что необходимость применения жидкого азота ограничивает эффективность их применения. Поэтому в настоящее время как никогда требуется создание новых высокотехнологических ВТСП материалов с высокими критическими параметрами, работающих при комнатной температуре.
Отметим, что экспериментально высокотемпературная сверхпроводимость была открыта Дж. Беднорцем и К. Мюллером в сложных оксидных соединениях на основе редкоземельных металлов типа Ьа-Ва-Си-0 (с температурой сверхпроводящего перехода Тс « ЗОК) [1], а также группой исследователей во главе с С. Чу - в соединениях Ьа-Бг-Си-0 (Тс * 36К) [2], У-Ва-Си-0 (Тс » 93К) [3], а также в ВкАЗ-Са-Бг-Си-О (Тс « 114К) [4]. Открытие высо-

Введем сферические координаты базисных векторов (2.2.1), полагая, что векторы ё“,е“ составляют с осями OZ, OY углы 0а,фасоответственно. Тогда имеем:
efx = - ЯПфв, е“ = COS(pa, е“ = О,
e2X=-COS0aCOS е“у =-COS0aSincpa, e£z=sin0a, (2.4)
e3x=sin9aC0S9a, e“=sm0asin9a, e“=cos0a.
В отсутствии поля магнитные моменты ориентированы в базисной ХОУ - плоскости тетрагональной элементарной ячейки. В полях Н0 < Н8
71 п о Н0
моменты подворачиваются на угол — 0a, cos0a = —-, причем критиче-
'2 Н5
ское поле Н5 определяется выражением:
Н8 = 4M0(I + a ) + М0(Рхх -Р +3 +3(3Ы + 4ри).
При больших полях Н0 > Hs магнитные моменты «схлопываются» и выстраиваются вдоль направления внешнего магнитного поля Й0.
Поскольку Ма||ОХ (рис.5), получаем
Ф1 = Фз =Ф5 = Ф? =° » Ф2=Ф4=Фб=Ф8= >0<х=0р=0- (2-5)
Тогда в соответствии с системой инвариантов кристалла тетрагональной симметрии коэффициенты , Bjf (2.3.1-2.3.2) будут иметь вид
= |мМ0[(х£ + a!Lkn)cos2 0COS(pa СОБфр +
+ (Х$ +аХупкп)С08фаСО8фр+(х +ank)sin2 0]-- pMoStp sin2 0 + (рн + р’и + 4р"и)cos2 0 +
+ 2(1 + а ) cos20 - 2- cos6], (2.6.1)