Разработка и исследование элементной базы интегрированных вакуумных систем и создание на их основе оборудования высоких технологий производства изделий электронной техники

• Автор: Кеменов, Владимир Николаевич
• Шифр специальности: 05.27.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 374 с. : ил.

Глава 1. Физические и методологические основы проектирования вакуумных систем оборудования высоких технологий. Концепция трехэтаппой системы автоматизированного проектирования высоковакуумного оборудования. Глава 2. Выводы. Глава 3. Анализ новых технических решений. Основные этапы развития теории диффузионных насосов. Выводы. Глава 4. Пути улучшения параметров турбомолекулярных насосов. Выводы. Глава 5. Создание и исследование криогенных насосов. Пути развития криогенных насосов. Выводы. Глава 6. Теоретические основы создания улавливающих устройств для 6 интегрированных вакуумных систем на базе турбомолекулярных, криогенных и диффузионных насосов. Оценка эффективности применения каталитических ловушек. Высоковакуумные ловушки для диффузионных насосов. Выводы. Глава 7. Использование результатов работы при создании научно 2 исследовательского и промышленного оборудования высоких вакуумных технологий электронной техники. Пути реализации результатов работы. Для уменьшения вероятности процесса столкновения давление в тракте транспортировки пучка должно быть не хуже НГПа.


Использование результатов работы при создании научно 2 исследовательского и промышленного оборудования высоких вакуумных технологий электронной техники. Пути реализации результатов работы. Для уменьшения вероятности процесса столкновения давление в тракте транспортировки пучка должно быть не хуже НГПа. Специфические проблемы возникают в области тракта транспортировки пучка в результате реакций обмена зарядами между ионами пучка и молекулами остаточного газа, а также образования быстрых нейтралов и посторонних ионов, что является причиной нарушения однородности легирования по поверхности системы, искажению профиля концентрации внедренных частиц, погрешности измерения дозы имплантации. Возникновение и интенсивность этих явлений напрямую зависят от вида ионов пучка, их энергии и давления в тракте транспортирования и могут привести к возникновению аномальных профилей распределения концентраций рис. В работе рассмотрены особенности имплантации кремния в условиях высоких энергий 0, МэВ многозарядными ионами бора, фосфора и мышьяка. В частности отмечено, что для исключения возможной перезарядки ионов в вакуумном тракте необходимы следующие условия откачки вакуумных объемов. Для двухзарядных ионов бора и мышьяка рабочий вакуум в источнике 4 3Па, в приемной и ускорительной камерах Па. При соблюдении указанных вакуумных условий профили, полученные при внедрении многозарядных ионов, показали отсутствие эффекта перезарядки, и воспроизводимость процесса имплантации была не хуже 3, которая укладывалась в погрешность измерения. Рис. Аномальные профили распределения концентрации атомов бора в кремнии. Рис.