Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве

• Автор: Овчинников, Вячеслав Алексеевич
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 242 с. : ил.

Оглавление
Введение

Глава 1. Состояние проблемы и задачи диссертационной работы

Классификация и спецификация фотошаблонов используемых в полупроводниковом

производстве

Принципы построения структуры базовой системы

технологического процесса изготовления фотошаблонов в

полупроводниковом производстве

Обзор состояния технологического процесса производства фотошаблонов, методов

поиска и устранения дефектов

Анализ недостатков технологического процесса изготовления фотошаблонов, режимов

оборудования и методик устранения недопустимых дефектов
Цели и задачи диссертационной работы
Выводы по главе 1
Глава 2. Исследование и разработка технологического процесса коррекции
геометрической формы топологических элементов фотошаблонов в процессе лазерной
литографии
Структуры коррекции геометрической формы элементов
топологического рисунка фотошаблона
Методика и последовательность операций формирования изображения элемента
топологического рисунка в фоторезистивной маске
Исследование влияния размера и местоположения спруктур коррекции па
геометрическую форму элементов топологического
рисунка фотошаблона
Выводы по главе 2
Глава 3. Исследование и разработка технологического процесса, режимов
оборудования, методик устранения дефектов на фотошаблонах
Разработка технологического пооперационного маршрута устранения прозрачных и
непрозрачных дефектов на фотошаблонах
Исследование и разработка технологического процесса, режимов оборудования
устранения прозрачных дефектов
Исследование режимов осаждения металла из газовой фазы при неподвижном
координатном столе
Исследование зависимости параметров изображения элемента, формируемого путем
осаждения вещества от скорости перемещения координатного стола, плотности
энергии непрерывного лазера, времени нагрева в заданной точке
Исследование влияния режимов осаждения металла из газовой фазы на высоту
осаждаемого фрагмента 3
Исследование и разработка технологического процесса, режимов
устранения непрозрачных дефектов
Выводы по главе 3
Глава 4. Результаты экспериментального исследования и практической реализации
технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения дефектов
при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве 9
Состав модернизированной технологической линии и описание нового
технологического процесса изготовления фотошаблонов 9
Разработка методик настройки специального технологического оборудования для
обеспечения, установленных точностных
параметров фотошаблонов
Методика аттестации координатного стола многолучевого лазерного генератора
изображения ЭМ 2
Методика компенсации погрешности воспроизведения размеров элементов
топологического рисунка
4
2
1
2

Методика настройки установки контроля топологии и поиска дефектов ЭММ
Режимы оборудования и методика измерения элементов топологического рисунка в
ультрафиолетовом диапазоне источника освещения
Результаты эксперимен тальной проверки предложенных режимов технологического
оборудования
Результаты изготовления фотошаблонов в соответствии с
модернизированным технологическим процессом
Выводы по главе 4
Заключение
Список литературы


Сравнение изображений с проектными данными. ФШЗ фото шаблонная заготовка ЭЛЛ электроннолучевая литография. Глава 1. Глава 2. Глава 3. Глава 4. Приложение 1. Приложение 2. Приложение 3. Приложение 4. Актуальность проблемы. Валиев К. А., Мартынов В. В., Докучаев Ю. П., Алферов Ж. И., Черняев В. Лаврищев В. П., Моро У и др. Микрон, ОАО АнгстремТ, ФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова. Vi. I, i I, i i ii. ЭКБ МИЭТ. Цель i задачи диссертационной работы. Микрон 9П от , ФГУП РНИИРС 6. Внедрение результатов. ЛЕСН. ЛЕСН. АЕСН. АЕСН. АЕСН. АЕСН. ЦКП МСТ и ЭКБ МИЭТ. ГК от . ФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Ю.Е. Седакова. Личный вклад автора. Все основные результаты получены автором лично. Апробация работы. Школасеминар Проектирование и технология изготовления БИС, БМК и ПЛИС, г. Нижний Новгород, ФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. НМТ МАТИРГГУ им. Нижний Новгород, ФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова,
Публикации. Без соавторов опубликовано 5 статей. Структура и объем работы. ИС уровня до нм. Глава 1. ИС, точности изготовления, степени дефектности . Табл. Проектная норма, нм
0
0 0
Кратность переноса изображения с фотошаблона на пп пластину
4
4
Размер минимального элемента на фотошаблоне, нм

0
Размер минимального элемента ОРС на фотошаблоне, нм
0
0
Линейность размера изолированной линии, нм


Линейность размера линии в структуре линияпромежуток, нм


Точность размера, нм


Минимальный размер обнаруживаемых дефектов, нм
0
0
Минимальный размер исправляемых дефектов, нм
0
0

Анализируя табл. Очевидно, что достижение указанных в табл. В табл. Табл. Размер пластины Мин. Размер пластины Мак. Толщина
мм
0. Табл. Минимальный коэффициент пропускания пластины толщиной 1. В табл. Из табл.