Микропрофилирование композиции "SiC-AlN" методом реактивного ионно-плазменного травления

• Автор: Лютецкая, Ирина Геннадиевна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 147 с. : ил.

1.1. Жидкостное химическое травление широкозонных материалов

1.1.1. Жидкостное химическое травление карбида кремния i

1.1.2. Жидкостное химическое травление нитрида алюминия

1.2. Технология высокотемпературного газового и сублимационного травления

1.3. Корнускулярнолучевое травление

1.3.1. Методы корпускулярнолучевого скранбирования

1.3.2. Плазменные технологии сухого травления

1.3.3. Анализ технологических факторов при реактивном ионноплазменном травлении РИПТ i и

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

Глава АППАРАТУРНОМЕТОДИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ

ПРОЦЕССОВ ВЧ МАГНЕТРОННОГО РЕАКТИВНОГО ИОННОПЛАЗМЕННОГО

ТРАВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИИ iI
2.1. Оборудование ВЧ магнетронного РИПТ
2.2. Методы контроля процесса травления
2.2.1. Метод лазерного интерферометричсского контроля глубины и скорости травления
2.2.1.1. Контроль глубины рельефа при травлении многослойных систем
2.2.1.2. Контроль глубины рельефа по дифракционной картине в отраженном свете
2.2.1.3. Погрешность метода
2.2.2. Метод контроля состава газовой среды
2.3. Методы контроля поверхности
2.3.1. Структурный анализ поверхности
2.3.2. Анализ химического состава поверхности
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ
Стр.
Глава III ИССЛЕДОВАНИЕ СЕЛЕКТИВНОСТИ И МЕХАНИЗМА
ТРАВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИИ iI
3.1. Обьекты исследования, диапазоны исследуемых параметров процесса
РИЛТ
3.2. РИПТ химически и термоустойчивых материалов
3.2.1. Особенности РШ1Т i во фтор и фторхлорсодержащих средах
3.2.2. Особенности РИПТ 1 во фтор и фторхлорсодержащих средах
3.3. Обобщенная схема РИПТ i и 1 в галогенсодержащих средах
3.4. Математическое описание зависимости скорости травления i и
от входных параметров процесса РИПТ
3.5. Зависимость селективности травления от физикохимических свойств материала и среды
3.5.1. Зависимость избирательности травления композиции iI
от состава среды
3.5.2. Зависимость селективности травления от физикохимических свойств и структурного состояния материала
3.5.3. Избирательность травления i и 1 по отношению к маскирующему материалу
3.6. Анализ поверхности после обработки в реакционноактивной плазме ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 0 Глава IV ПРИМЕНЕНИЕ РАЗРАБОТАННОЙ ТЕХНОЛОГИИ
МИКРОПРОФИЛИРОВАНИЯ КОМПОЗИЦИИ iI ПРИ СОЗДА1 ШИ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР
4.1. Применение технологии РИПТ композиции iI для создания емкостного акселерометра
4.2. Применение технологии РИПТ композиции iI для создания вибрационного микрогироскопа
4.3. Применение технологии РИПТ композиции iI для создания тензорезистивных датчиков давления и акселерометров
4.4. Перспективы применения сухого глубинного травления i при производстве микромеханических структур
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


Диффузия Закон Фика удифф кдифф сс где О коэффициент диффузии 8 поверхность диффузионного фронта й толщина диффузионного слоя с и с объемная и поверхностная концентрации реагента капфф коэффициент. Сильная зависимость скорости травления от интенсивности перемешивания, вязкости раствора. Невысокие энергии активации диффузии порядка сотых десятых долей эВ. Полирующие травители. Химическая реакция Уравнение Аррениуса ННй где А константа скорости с концентрация реагента ДЕ энергия активации химической реакции. Высокие энергии активации на два порядка превышающих таковые для диффузии, что определяет сильную зависимость от температуры. Селективные травители. Внешними факторами являются химический состав агрессивной среды, ее температура и вязкость. От выбора реагентов и их соотношения в растворе зависят также селективные свойства травителя. Основным правилом, которым необходимо руководствоваться при подборе травителя является отсутствие нерастворимого продукта реакции на поверхности. Химическое травление полупроводников основано на окислении поверхности и удалении образовавшихся продуктов. В состав травителей, могут входит. Отмечается 6, что при травлении в окислительновосстановительных травителях, при высоких концентрациях комплексообразователя в растворе скорости травления полупроводниковых материалов ограничиваются скоростью окисления поверхности, а при высоких концентрациях окислителя диффузией комплексообразователя. Химическое травление диэлектриков, осуществляют в растворах кислот, солей кислот и щелочах 6.