Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента
- Автор:
Середин, Лев Михайлович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
175 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs | Гусев, Дмитрий Александрович | 2015 |
| Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi | Подщипков, Дмитрий Геннадиевич | 2009 |
| Получение, структурные и электрофизические исследования новых сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем (1-x)Ba(Ti1-yZry)O3.xPbTiO3, (Pb1-xBax)5Ge3O11, Pb3Mn7O15 | Степанов, Александр Викторович | 2018 |