Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов

• Автор: Харламов, Роман Валентинович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 166 с. : ил.

1.1. Автолегирование фосфором и мышьяком и способы его снижения при эпитаксии на подложках КЭС0, и КЭМ0,5 .
1.2. Получение кремниевых эпитаксиальных структур ппр для биполярных транзисторов с изолированным затвором I

и изучение автолегирования при их создании

1.3. Исследование динамики автолегирования при эпитаксии кремния в хлоридном процессе

1.4. Использование переменного во времени легирования при создании сложных структур

Глава II. Модернизация подложкодержа теля с целью снижения уровня генерации полос и линий скольжения при эпитаксии кремния
1. Модернизация подложкодержателя с целыо снижения генерации линий скольжения в эпитаксиальных слоях кремния.

Глава III. Исследование массопсреноса при эпитаксии кремния

в реакторе вертикального типа с распределенным вводом

газовой смеси

I. 1. Влияние характера и направления потоков ПГС на однородност ь распределения толщины эпитаксиальных слоев в установках Эпиквар1М,
Ш.2. Оптимизация газовых потоков в установке Эпиквар1М с целью повышения однородности скорости роста
Глава IV. Образование паразитных прослоек ргипа при нроизводстве
кремниевых эпитаксиальных структур для силовой
электроники
IV. 1. Образование прослоек с проводимостью дырочною типа в в кремниевых эпитаксиальных пп структурах.2
Глава V. Снижение себестоимости изготовления высокоомных, толстослойных кремниевых эпитаксиальных структур в условиях промышленного производства
V. 1. Способы создания и методика выбора оптимального состава
ПГС в установках Эпиквар1М.
V. 2. Снижение числа опытных процессов при выходе на заданный
номинал удельного сопротивления эпитаксиальных слоев
V. 3. Влияние случайных и управляющих факторов на количество
опытных проценссов эпитаксиального наращивания
V. 4. Адаптивное управление удельным сопротивлением эпитаксиального слоя кремния
Выводы по диссертации.
Список литературы


Ими представлен новый гидродинамический принцип работы реакторов химического осаждения из газовой фазы, который обеспечивает равномерное осаждение слоев на статический пьедестал без какого либо ограничения по размеру. Этот новый принцип базируется на точном контроле как температурных нолей, так и значений концентраций с целью достижения однородности этих параметров на пьедестале. Принцип базируется на двух фундаментальных условиях. Транспорт масс и теплоты в значительной степени определяется диффузией, а влияние конвекции крайне незначительное. Профили температуры и концентрации равномерно распределяются в горизонтальном направлении путем правильного подбора пограничных условий. Именно с помощью современных среднеразмерных реакторов исследователи улучшают технологию получения эпитаксиальных структур. Среди направлений разработок выделяются следующие
1. Тенденция развития полупроводниковой технологии, характеризующаяся все большим числом обрабатываемых пластин, увеличением диаметра, уменьшением размеров и увеличением степени интеграции, содержит средний пуп, направленный на рынок специализированных приборов. Процессы обработки специализированных ИС характеризуются партиями из пластин, диаметром мм и производительностью 5 пластин в час . Но мнению авторов в гг. В частности это работы по совершенствованию оборудования, создание роботизированных комплексов. Будут наблюдаться две ветви технологии получения эпитаксиальных слоев. Это получение толстых эпитаксиальных слоев 0 0 мкм, для мощных высоковольтных приборов, а так же для диэлектрической изоляции поликристаллическим кремнием, и тонких 0, мкм, для МОПКМОП структур.