Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски
- Автор:
Конюшкин, Василий Андреевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств | Буш, Александр Андреевич | 2006 |
| Технология и оборудование для получения коллоидных квантовых точек CsPbX3 (X = Cl, Br, I), CdSe/ZnS, плазмонных наночастиц Ag/SiO2 и гибридных структур на их основе | Матюшкин, Лев Борисович | 2018 |
| Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра | Гончарова, Наталья Вячеславовна | 2002 |