Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски

• Автор: Конюшкин, Василий Андреевич
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 177 с. : ил.

1.1. Центры окраски в ионных кристаллах

1.2. Лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах

1.3. Синтез кристаллов ЫР. Физикохимические свойства кристаллов иИ .

1.4. Центры окраски в кристаллах Ь

1.5. Лазеры на центрах окраски в кристаллах ЫР

1.6. Основные закономерности взаимодействия ионизирующих излучений с веществом

Глава 2. Методики экспериментов

2.1. Характеристики источников ионизирующих излучений и особенности воздействия гамма квантов и электронов высоких энергий на кристаллы ЫР
2.2. Создание систем стабилизации и контроля температуры кристаллов при воздействии на них, ионизирующих излучений

2.3. Контроль состава и физических свойств кристаллов ЫР

Глава 3. Лазерные элементы из кристаллов ЫР Р2

3.1. Создание лазерных элементов ЫР Р2 при гамма облучении от источника Со
3.2. Создание лазерных элементов ЫР Р2 при облучении электронами с энергией Е 7 МэВ
3.3. Создание лазерных элементов ЫР Р2 при облучении электронами с энергией Е МэВ
3.4. Оценка лазерных характеристик кристаллов ЫР Р2
3.5. Выводы
Глава 4. Лазерные элементы из кристаллов i 2, i 2 2 и
7
Г
4.1. Создание лазерных элементов из кристаллов 2 и ЫИ 2 РУ при гамма облучении от источника Со
4.2. Синтез бескислородных кристаллов 1ЛР
4.3. Создание лазерных элементов из кристаллов Ь 2 и 1лТ Р2 Р2 при облучении электронами высоких энергий
4.4. Создание лазерных элементов из кристаллов ЛИ Р
4.5. Выводы Заключение Приложения Список литерату ры
Введение


В. Генерационные характеристики перестраиваемых лазеров на радиационных центрах серии I0. Изв. АНСССР Сер. Басиев Т. Т., Дергачев А. Ю., Зверев П. Г., Конюшкин В. А., Миров С. Б., Осико А. В., Папашвили А. Г., Сычев С. А., Федоров В. В. Разработка кристаллических лазеров с плавно перестраиваемой частотой излучения накачки. Отчет НИР, ,2, с. Басиев Т. Т., Кравец А. Н., Миров С. Б., Федин А. В., Конюшкин В. А. Модуляция добротности технологического ИАГлазера кристаллами i 2. Квантовая электроника, , , 2, с. Басиев Т. Т., Конюшкин В. А., Миров С. Б., ТерМикиртычев В. В. Эффективные перестраиваемые лазеры на кристаллах i2 с и 2 ЦО. Квантовая электроника, ,, 2, с. Т.Т. Vii . V i i i 2 i i ii. Басиев , Конюшкин , Миров С. Б., ТерМикиртычев В. В., Федоров В. В. Генерационные характеристики перестраиваемых лазеров на основе кристаллов i с и 2 центрами окраски, работающих при комнатной температуре. Оптика и спектроскопия, , , 6, с. Т.Т. I.V. V.V. V, vv ii i2 ii . Ii i , i, I. Басиев , Конюшкин В. А., Миров С. Б., Осико В. В., ТерМикиртычев В. В. Способ контроля качества активной лазерной среды. Патент на изобретение 3, март, . Н.Басиев Т. Т., Кравец А. Н., Кравец С. А., Конюшкин В. А., Миронов А. В. Лазерное многокаскадное генераторноусилительное устройство. Патент на изобретение 6, заявка март, . Басиев Т. Т., Ильичев Н. Н., Кирьянов А. В., Конюшкин В. А., Пашинин П. П., Шпуга С. М. Поляризационные характеристики двухфотонного поглощения в кристалле i2 на длине волны 1. Квантовая электроника, , , 2, с. Т.Т. V i ii iv i iv i. Басиев , Зверев П. Г., Папашвили А. Г., Конюшкин В. А., Осико В. В. Квазинепрерывная генерация лазера на кристаллах i с 2 центрами окраски. Квантовая электроника, , , 9, с. БасиевТ. Т., Ермаков И. В., Конюшкин В. А., Пухов К. К., Гласбик М. Усилительные свойства кристаллов i со стабилизированными 2 центрами окраски. Квантовая электроника, , , 2, с. Т.Т. I, vii , i V i v i i x iv i ii i 2i . V v x . V i iv iv i i . Басиев , Гаврилов А. В., Конюшкин В. А., Сметанин С. Н. лазер с интерферометром Саиьяка и пассивным затвором на кристалле i2. Доклады Академии Наук, , 6, 5, с. Басиев Т. Т., Ермаков И. В., Конюшкин В, Пухов К. Широкополосный оптический усилитель ИК импульсов на кристалле i 2. Квантовая электроника, , 5, с. Басиев Т. Т., Конюшкин В. А., Папашвили А. Г., Пухов К. К., Ермаков И. В., Геллерманн В. Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах i. Квантовая электроника, , , 8, с. Басиев Т. Т., Ванина Е. А., Конюшкин В. А., Симаков С. В. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на оптические свойства i. Физика и химия обработки материалов, , 5, с. Басиев Т. Т., Быковский И. Е., Конюшкин В. А., Сенатский Ю. В., Применение лазера на центрах окраски в кристалле i для накачки активной среды . Содержание работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, двух приложений и списка цитируемой литературы. Во Введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, сформулирована ее цель, приведены основные положения, выносимые на защиту, обсуждается научная новизна и практическая ценность работы, отмечен личный вклад автора. В Главе 1 дан обзор литературы по центрам окраски в ионных кристаллах и лазерам на их основе. В Главе 2 проведено сравнение характеристик источников ионизирующих излучений и их воздействия на кристаллы ЫР. Приведены способы стабилизации и контроля температур кристаллов при воздействии ионизирующих излучений. Изложены методики контроля физических свойств кристаллов 1лР. В Главе 4 приведены результаты исследований направленных на создание лазерных элементов ЫРР2 и ЫРР2 Рг при гамма облучении и облучении электронами высоких энергий. Описана технология синтеза бескислородных кристаллов ЫР. Приведены результаты исследований направленных на создание лазерных элементов ЫРР2 на основе кристаллов ЫР, обогащенных ионами гидроксила. Описана технология синтеза кристаллов ЫР с повышенной концентрации ионов гидроксила до ссон 1,5 см1. В Заключении приведены выводы диссертационной работы.