Разработка и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы

• Автор: Мьо Хейн Зо
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 169 с. : ил.

1.1. Научнотехнические проблемы формирования пленок на некруглых

подложках
1.2. Технологические аспекты и оборудование, применяемое для получения тонких пленок из растворов.

1.2.1. Методы и особенности нанесения пленок фоторезиста.

1.3. Цель и задачи выполняемой работы.

Глава 2. Анализ и теоретические исследования процесса формирования

пленок в поле центробежных сил

2.1. Течение слоев жидкости под действием центробежных сил

2.2. Теоретическое решение задачи по определению толщины тонкой пленки, образующейся из растворов под действием цен гробежных сил

2.3. Физическая модель процесса формирования пленки при центрифугировании.

2.4. Исследование процесса формирования покрытия на подложках некруглой формы

2.4.1. Особенности формирования покрытия на подложках некруглой формы.
2.4.2. Разработка физической и математической моделей, определяющих параметры утолщенных областей в углах подложки некруглой формы.
2.4.3. Разработка компьютерной модели и программных средств для определения параметров покрытий, формируемых из растворов на подложках некруглой формы в ноле центробежных сил.
2.5. Результата и выводы
Глава 3. Экспериментальные исследования конструктивнотехнологических параметров процесса формирования полимерных покрытий на подложках некруглой формы
3.1. Методика исследования конструктивнотехнологических параметров процесса нанесения полимерных покрытий.
3.1 Л. Методики определения режимов центрифугирования.
3.1.2. Методика определения физических величин растворов полимеров .
3.1.3. Методика измерения геометрических параметров покрытий на подложках некруглой формы
3.2. Описание экспериментальной установки и информационноизмерительных систем.
3.3. Результаты исследований и их анализ
Глава 4. Разработка и исследование технологических и конструктивных
решений для устранения или значительного уменьшения утолщенных зон в пленках резистов на некруглых подложках.
4.1. Модернизация установки нанесения полимерных пленок
4.2. Конструкция и принцип работы модуля центрифуги, обеспечивающего быстрый разгон и реверсивное вращение подложки
4.3. Переходные процессы в электроприводе
4.4. Пример расчета времени разгона центрифуги до заданной частоты вращения подложки с заданными размерами.
4.5. Программа расчета времени разгона центрифуги до рабочей частоты вращения
4.6. Результаты и Выводы.
Результаты исследования и основные выводы по работе.
Литература


Контроль критического размера затвора За, после травления 5 нм 3 нм 2 нм 1. Размер чипа нм 2. I специализированные интегральные схемы прим. Группой ученых с применением нанотехнологического прибора, называемого атомносиловым микроскопом , была осуществлена перьевая нанолитография ПИЛ поверхности вещества . В настоящее время изучаются потенциальные возможности метода ПИЛ не только как необычного инструмента для нанописьма, а делается упор на применении в микроэлектронике, при скриннинге фармацевтических препаратов и в технологии биомолекулярных сенсоров. Современные достижение в разрешающей способности ИС не хуже 0 нм. Именно это предопределило высокую техникоэкономическую эффективноеп метода планарной технологии и создало возможность достижения уровня интеграции СБИС сверхбольших интегральных схем, характеризуемого цифрами порядка 7 элементов транзисторов на кристалл 4. Анализ тенденций дальнейшего уменьшения минимального характеристического размера элементов интегральных схем ИС, представленых в таблице 1 и на рис 1. Рис. Мейндла 5. На рис. На основании приведенной зависимости можно отметить экспоненциальное уменьшение в течение всего периода развития микроэлектроники. Темп снижения величины Составляет приблизительно ежегодно. Например, разработаны очень сложные и дорогие машины и технологии , толщина транспарентного электроношаблона составляет всего 0 нм. С их помощью за приемлемое время возможно сегодня проэкспонировать более или менее современную СБИС. Задачи же дальнейшего снижения ,требуют своего решения. Однако прогноз Мейндла 5, оказался ошибочным Так как лучшее разрешение, из того, что предполагалось, уже достигнуто при применении традиционной фотолитографии. Так, корпорация I в конце г. Дальнейшее развитие и совершенствование технологии требует новых научнотехнических решений. В конце г. Только с помощью наноимпринтинга литографии НИЛ рисунок переносится на кремневую пластину, и минимальный размер линии переносимого рисунка может достигать нм. В НИЛ определяющим процессом является создание мастершаблона с аналогичными размерами. Для продления жизни мастершаблона, изготовления которого стоит очень дорого, используют полимерный слой, выполняющий роль промежуточного шаблона. В МИЛ во многих случаях применяют подложки некруглой формы, на которых методом центрифугирования наносят полимерные пленки для создания требуемой топологии6,7. Как уже было сказано, в связи с миниатюризацией и увеличением степени интеграции ИС, топологические размеры имеет величину нескольких нанометров. С другой стороны, с целью снижения стоимости массового производства ИС, диаметр обрабатываемых подложек достигает величины 0 мм. Сочетание этих требования приводит к созданию сверх малых элементов на очень больших площадях. Аналогичные требования имеют место и в других областях, таких как производство жидкокристаллических дисплеев ЖКД и люминесцентных гальваностереотипных ЕЬ устройств. Для удовлетворения этим требованиям проводится исследование по разработке промышленной технологии. И еще одним примером использования методов микроэлектронной технологии служит формирование микрорельефа дифракционных оптических элементов ДОЭ, в котором необходимо создать ступенчатый рельеф, аппроксимирующий требуемую форму поверхности оптического элемента. В некоторых работах 8,9 уже был предложен относительно простой и малотрудоемкий метод изготовления микрорельефов послойным наращиванием фоторезиста, исключающий процесс травления подложки. Суть его заключалась в том, что ступенчатый рельеф дифракционного оптического элемента формируется путем многократного нанесения фоторезистивных слоев, слой на слой, прошедших этапы засветки через соответствующие фотошаблоны и все процессы обработки, включая глубокое задубливание. Исключение из общего процесса этапов травления подложки позволяет значительно улучшить точность воспроизведения размеров зон ДОЭ. Ог точности воспроизведения толщин каждого из слоев и равномерности распределения его по подложке зависит, в конечном счете, качество работы ДОЭ.