Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем

• Автор: Серегин, Дмитрий Сергеевич
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 151 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ

1. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ В ТЕХНОЛОГИИ ИС.

1.1. Сегнетоэлекгрические ТОНКИЕ ПЛЕНКИ в ТЕХЮЛОГИИ ИС.

1.1.1. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства.

1.1.2. Сегистоэлектрические запоминающие устройства. Технология формирования.

1.1.3. Методы химического осаждения га растворов для формирования СЗУ

1.2. ИЗОЛИРУЮЩИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ МНОГОУРОВНЕВЫХ СИСТЕМ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИС.

1.2.1. Особенности современных многоуровневых систем металлизации ИС.

1.2.2. Требования к юолирующгш диэлектрическим слоям ИС

1 2.3. Методы формирования изолирующих диэлектрических спаев многоуровневой разводки ИС.
1.2.4. Методы химического осаждения из растворов для формирования изолирующих слоев с низкой диэлектрической проницаемостью
. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.
2.1. МЕТОДЫ 1ЮРМИЮВЛИЯ СЕП1ЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ Т1КИХ ПЛБ1ЮК.
2.1.1. Приготовление ипснкообразующих растворов
2.1.2. Формирование тонких пленок ЦТС
2.2. Методы формирования изолирующих диэлектрических слоев
2.2.1. Приготовление крсмнийоргалических пченкообразующих растворов
2.2.2. Формирование тонких изолирующих пленок
2.3. Методики измерез 1Ий.
2.3.1. Из.меритспьное оборудование.
2.3.2. Определение паразитных параметров.
2.3.3. Методика измерения диэлектрической проницаемости изолирующих слоев на
полупроводниковых подложках.
2.3.4. Методика казибровки ртутного зонда
2.3.5. Измерение паралгетров петспь диэлекгпричсского гистерезиса
2.3.6. Определение толщины, показателя прсюмления и усадки пленок методом эллипсометрии.
2.3.7. Определение требований к структуре ггспытусмых образцов при измерении ВФХ пористых пленок
2.4. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦТС
3.1. Исследование влияния методики синтеза исходных растворов на микроструктуру пленок
3.2. Исследование влияния методики синтеза исходных растворов на электрофизические
свойства пленок ТС
3.3. Исследование влияния температуры кристаллизации на микроструктуру пленок ЦТС .
3.4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЦТС
3.5. ФОРМИРОВАНИЕ тестовых ЭЛЕМЕНТОВ СЗУ А ОСНОВЕ ПЛЕНОК ЦТС В УСЛОВИЯХ ПРОИЗВОДСТВА ИС .
3.6. Выводы К ГЛАВЕ
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТЫХ СИЛИКАТНЫХ СЛОЕВ.
4.1. Исследование влияния состава пленкообразующих растворов и температуры обработки НА ПОКАЗАТЕЛЬРЕЛОМЛЕНИЯ, УСАДКУ И ПОРИСТОСТЬ СИЛИКАТНЫХ 1ЛЕЮК.
4.2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СОСТАВА ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИХ РАСТВОРОВ И ТЕМПЕРАТУРЫ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИЛИКАТНЫХ ПЛЕНОК.
4.3. ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТЫХ ИЗОЛИРУЮЩИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ТЕСТОВЫХ ПЛАСТИНАХ С ЭЛЕМЕНТАМИ МЕТАЛЛИЗА1ДИОННОЙ СИТЕМЫ ИС
4.4. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ


Международной НТК Тонкие пленки и наноструктуры Москва, Россия, Международной НТК Молодые ученые науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике Москва, Россия, доклад отмечен грамотой лауреата конкурсной программы VI, VII Международной НТК Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения II Москва, Россия, доклад отмечен грамотой лауреата конкурсной про1раммы, й, й НТК МИРЭА Москва, Россия, , i i i, , . По результатам исследований и разработок, представленных в диссертационной работе, опубликовано печатных работ, в том числе 4 статьи в рецензируемых журналах рекомендованных списком ВАК, статей в сборниках трудов международных конференций. Автор принимал непосредственное участие в планировании и проведении экспериментов, обработке и обсуждении полученных результатов, подготовке публикаций. Лично автором выполнялись синтез растворов мстилмодифицированных силикатов, формирование пленок, проведение эллипсометрических и электрофизических исследований. Микроструктура, фазовый и элементный состав гетсроструктур исследовались по результатам измерений, выполненных в ИК РАН им. Шубникова под РУКОВОДСТВОМ Д. ЖшДЛИНОЙ О. Поименно сотрудники, работавшие совместно с автором по научным направлениям, имеющим отношение к теме диссертации, представлены в качестве соавторов публикаций. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, общих выводов, списка литературы из 7 наименований. Содержание работы изложено на 1 странице, включая рисунка и таблицы. Серегин Д. С. Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства пленок ЦТС Нано и микросистемная техника. С. в списке ВАК. Васильев В. А., Серегин Л. С., Воротилов К. А. Гибридные пористые силикатные пленки с управляемой наноструктурой Нано и микросистсмная техника. С. в списке ВАК. Васильев В. А., Серегин Д. С Воротилов К. А. Зольгель метод формирования мезапористых силикатов для систем многоуровневой разводки СБИС и МЭМСтехнологии Наукоемкие технологии. С. в списке ВАК. Котова Н. М., Подгорный Ю. В., Серегин Д. С. Воротилов К. А., Сигов Влияние методики приготовления пленкообразующих растворов на электрофизические свойства сегнстоэлектрических пленок ЦТС Нано и микросистемная техника. С. в списке ВАК. Воротилов К. А., Жигалина О. М., Серегин Д. С. Наноструктурные особенности сегнетоэлектрических композиций, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС Наноматерилы и наноструктуры. С. . Серегин Д. С. Формирование изолирующих слоев методом химического осаждения из газовой фазы в технологии формирования многоуровневых систем металлизации Молодые ученые Материалы международной . Москва, М. Энергоатомиздаг, . Ч 2. С. . Серегин Л. С., Васильев В. Д., Воротилов К. А. Влияние состава пленкообразующего раствора на оптические характеристики и микроструктуру пористых пленок мстил модифицированных силикатов. Материалы международной НТК Молодые ученые науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике, декабря г. Москва. М. МИРЗА, . Ч 2. С. . Васильев В. А., Серегин Д. С. Электрофизические свойства пористых пленок метил модифицированных силикатов. Материалы международной НТК Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, октября г. Москва. М. МИРЭА, . З.С. Васильев В. А., Серегин Д. С Воротилов К. А. Материалы с пористой структурой для устройств микро и наноэлектроники Материалы международной НТК Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, октября г. Москва. М. МИРЭА, . Ч 3. С. 7. Васильев В. А., Серегин Л. С Воротилов К. А., Валеев , Дальская Г Барьерные слои для систем металлизации СБИС Ii Материалы международной НТК Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, октября г. Москва. М. Энергоатомиздат, . С. . Подгорный Ю. В., Серегин Д. С., Путилин Л. М., Воротилов К. А Сигов Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства пленок ЦТС Материалы VII международной НТК Ii, 7 декабря г. Москва. М Энсргоатомиздат, . Ч 1. С. 7. Подгорный Ю. В., Серегин Д. С Путилин А. М., Лучников П. А., Воротилов К.