Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
- Автор:
Мустафаев, Арслан Гасанович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
284 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции | Данилкин, Евгений Викторович | 2008 |
| Научное и технологическое обеспечение нанесения упрочняющих наноразмерных тонкопленочных покрытий для изделий электронной техники | Осипов, Александр Владимирович | 2004 |
| Разработка и исследование устройств с бесконтактным магнитным взаимодействием и минимальным дестабилизирующим воздействием на вакуумную среду оборудования высоких технологий | Кузнецов, Павел Сергеевич | 2012 |