Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента

• Автор: Алфимова, Диана Леонидовна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Новочеркасск
• Количество страниц: 188 с.

1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПРОБЛЕМАТИКА РАБОТЫ.II

1.1. Многокомпонентные твердые растворы на основе антимонида

индия и фосфида галлия.II

1.2 Особенности кристаллизации слоев и пленок гстероструктур

на основе 1п8Ь и СаР.

1.3. Автомодуляция в гетероструктурах ОаАБьхРхОаР.

1.4. Постановка задачи исследования

ВЫВОДЫ.

2 ОСПОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ

2.1. Моделирование фазовых превращений в многокомпонентных

В1содержащих гегеросистемах.

2.2.Особенности фазовых равновесий в системах СаДлАБЭЬВ,
Оа1пАзРВ1 и их подсистемах.
2.3. Вопросы термодинамической устойчивости и зонной структуры
Вьсодержащих твердых растворов.
2 4. Механизм формирования сверхрешет очных структур в ходе
кристаллизации многокомпонентных висмутидов
ВЫВОДЫ.
3 РОСТ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И ПЛЕНОК МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ВйСОДЕРЖАЩИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
3.1. Статистические исследования метастабильных фаз
в гегеросистемах Са1пАЬВ1 и Са1пА5РВ1
3.2. Аппаратурное обеспечение технологического процесса ЗПГТ
и особенности получения многокомпонентных МТР на подложках антимонида индия
3.3. Особенности технологии получения многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе 1пЬ и баР.
Диссертация Алфимовой Д. Л. г.
3.4. Состав, скорость роста и морфология поверхности многокомпонентных слоев гетероструктур ЗаМЬВпЯЬ, Оа1пАЬВп8Ь,
ОаАзРВ1ОаР и Оа1пА5рВ1СаР.
В Ы ВОД Ы
4 СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО И СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР Ii.xxi.iI, Iixxi.7.iIii, СаАх Р1хВ1СаР и Са1хпхА5уР1.уВСаР, ПОЛУЧЕННЫХ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА
4 1. Структурное совершенство твердых растворов, изопернодных подложкам антимонида индия.
4.2. Структурное совершенство твердых растворов, изопернодных подложкам фосфида галлия.
4.3. Электрофизические характеристики Вьсодержащих гетерострукгур
4 4. Фотоэлектрические свойства Вьсодержащих гетерострукгур
ВЫВОДЫ.
5 ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ВьСОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И ИХ ПРИМЕНЕНИЮ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ.
5.1. Рекомендации по технологии вырашивания эпитаксиальных слоев многокомпонентных Вьсодержащих твердых растворов в поле температурного градиента.
5.2. Конструкции фото приемных устройств на основе гстероструктур Ii.xxi.iI и СаАхР1.хН1ОаР
5.3. Конструкция инжскционных излучателей на основе
ВЫВОДЫ.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТ Ы
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


На подложках 1пАб 1Па были получены сравнительно тонкие не более мкм ЭС твердого раствора 1пАЬх переменного состава с монотонным возрастанием 1п8Ь и максимальным содержанием 1п8Ь на поверхности мол. Средняя скорость роста слоев, обогащенных тугоплавким компонентом, при о С не превышала 4 мкмч. Существенное увеличение скорости роста за счет повышения температуры процесса оказалось невозможным, т. С и выше происходило расплавление источников с составом х0,5 Увеличение градиента температуры за счет применения холодильника позволило увеличить скорость роста до мкмч. На подложках 1п5Ь Ша также были получены слои переменного состава с содержанием 1п8Ь на поверхности мол. Однако в этом случае скорость роста достигала мкмч, что позволило при С за время ч получить слои толщиной около 0 мкм. Перспективным способом получения твердых растворов Сах1п. Ь также является метод жидкостной эпитаксии. Электрические свойства эпитаксиальных слоев определяются их структурным совершенством и областью первичной кристаллизации, из которой они получены. Для насыщения растворарасплава применялся антимонид индия с концентрацией порядка см К. В качестве подложек использовались йгЬ 1, 1, ОаЯЬ 1. Эпитаксиальные слои выращивались при температурах 3К. Этим методом не удалось получить совершенные слои толщиной более мкм. Таким образом, практическая реализация приборных структур на основе Оах1пьх5Ь сдерживается отсутствием достаточно совершенного материала. Эпитаксиальные слои твердых растворов ОаАвхРьх, как правило, выращиваются в основном методами газовой эпитаксии. Диссертация Алфимовой Д. Л. г.