Конструктивно-технологические особенности создания пассивных акустоэлектронных приборов приемо-передающих устройств

• Автор: Багдасарян, Сергей Александрович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 170 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение

1. Пассивные высокоизбирательные акустоэлектронные

приборы частотной селекции с малым уровнем вносимого затухания.

1.1 Методы расчета высокоизбирательных акустоолектронных приборов частотной селекции на ПАВ.

1.2. Анализ встречноштыревых преобразователей ПАВ методом связанных мод.

1.3. Пассивные высокоизбирательные акустоэлектронные

приборы частотной селекции с веерными преобразователями.

1.4. Пассивные высокоизбирательные акустоэлектронные

приборы частотной селекции импедансного типа с малым уровнем вносимого затухания.

1.5. Импедансные канальные фильтры на ПАВ для систем кабельного телевидения.

1.6. Импедансные фильтры ПАВ в качестве фильтров для селекторов каналов гибридных аналога цифровых телевизионных приемников.
1.7. Выводы.
П1. Физические основы работы импедансных фильтров.
2. Пассивные акустоэлектронные приборы радиочастотной идентификации с малым уровнем вносимого затухания.
Введение
2.1. Однонаправленный однофазный преобразователь на основе внутренних отражений поверхностных акустических волн.
2.2. Радиочастотная идентификация с использованием технологии ПАВ.
2.2.1. Анализ принципов формирования кодовых последовательностей РМ на ПАВ.
2.2.2. Дальность действия пассивной РМ микроволновой системы РЧИД
2.3. Конструктивные и топологические решения радиочастотных меток на поверхностных акустических волнах.
2.3.1. Многоканальная радиочастотная метка на поверхностных акустических волнах.
2.3.2. Активная радиочастотная метка на поверхностных акустических волнах с малым энергопотреблением.
2.3.3. Способ кодирования радиочастотной метки на поверхностных акустических волнах.
Выводы.
3. Технологические особенности разработки и производства акустоэлектронных приборов.
3.1. Установки для получения пьезоэлектрических пленок на основе формирования многослойных структур, содержащих пленки бактсриородопсина.
3.1.1. Модернизированная установка магнетронного распыления.
3.1.2. Установка термического осаждения металлов.
3.2. Слоистые структуры алмазоподобный углерод I в устройствах на ПАВ.
3.2.1. Конструкция установки и параметры процесса формирования пленок.
3.2.2. Устройства на поверхностных акустических волнах на слоистых структурах.
3.3. Наноструктурироваиныс пленки 1 и в приборах на поверхностных акустических волнах.
3.3.1. Формирование пленок.
3.3.2. Строение сформированных пленок.
3.3.3. Устройства на поверхностных акустических волнах.
3.4 .Технологические особенности изготовления
микроэлектронных структур акустоэлскфонных приборов на поверхностных акустических волнах.
3.4.1. Очистка подложек при изготовлении акустоэлектронных приборов на поверхностных акустических волнах.
3.4.2. Подгонка частоты радиочастотных меток на поверхностных акустических волнах.
Выводы.
Заключение.
Литература


Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка использованных источников. Диссертация содержит . Рисунков,. Личный вклад автора. В диссертации изложены результаты работ, которые были выполнены автором лично и в соавторстве. Кроме того, автор осуществлял обработку, анализ и обобщение результатов. Соавторы, принимавшие участие в исследованиях по отдельным направлениям, указаны в списке основных публикаций по теме диссертации. Все результаты, составляющие научную новизну диссертации и выносимые на защиту, получены автором лично. Во введении показана актуальность работы обоснована тема диссертации сформулированы цель и задачи работы обосновывается научная новизна и практическая ценность приведены положения, выносимые на защиту. Первая глава посвящена проблемам проектирования фильтров на ПАВ с высокими селективными требованиями. Разделы 1. В разделе 1. ВШП лается сравнительный анализ методов расчета преобразователей и фильтров на их основе обоснован выбор метода расчета проводимости ВШП на основе квазистатической теории. В данной работе в качестве основного метода синтеза принят метод частотных выборок, позволяющий получать произвольные ЛЧХ и ФЧХ фильтров. Раздел 1. ВШП методом связанных мод. В разделе 1. ВШП. Проблему уменьшения уровня вносимого затухания кардинальным образом удалось решить с использованием работы преобразователей ПАВ, в качестве аналогов ЬСконтуров Раздел 1. Уменьшения взаимного влияния одного канала на другой удалось впервые реализовать на практике с использованием канальных ИФ разделы 1. В разделе 1. ИФ для селектора каналов гибридных аналогоцифровых ТВ приемников. Вторая глава посвящена теоретическим и экспериментальным исследованиям радиочастотных меток РМ на ПАВ. РМ на ПЛВ, предъявляются жесткие требования, как по потерям ПАВ, так и увеличению рабочих частот. Рассмотрены принципы работы однонаправленных однофазных преобразователей па основе внутренних отражений поверхностных акустических волн. ОАВ, например, УХ7 ЫШО. В разделе 2. ПАВ. В разделе 2. РМ на ПАВ. Проанализированы возможные конструктивные решения, обоснована целесообразность применения многоканальной РМ. РМ на операциях сборки. При расчетах конструкции РМ учитывалась разность скоростей распространения ПАВ для сильных пьезоэлектриков таких как ниобат лития в структурах с разным коэффициентом металлизации. С этой целью была применена модель волноводного распространения ПАВ в преобразователях в части использования дисперсионных соотношений. Третья глава посвящена технологическим особенностям разработки и производства рассмотренных в предыдущих главах пассивных акустоэлектронных приборов ППУ фильтров и РМ на ПАВ. Раздел 3. Химическая активность ПАВ структур потребовала проведения модернизации технологического процесса в части фотолитографии, а сравнительно низкая механическая прочность изменение порядка рифления и резки пластин с целью снижения уровня паразитных ОАВ. Разделы 3. I, , алмаза и алмазоподобного углерода, при их применении в пассивных акустоэлектронных приборах . Преимущество структур алмазАУПА1ЫгпО при изготовлении СВЧ устройств на Г1АВ по сравнению с другими звукопроводами монокристаллы и слоистые структуры, не содержащие слой алмаза связано с повышением в 1,5Зраза частоты обработки сигнала при одинаковой геометрии ВШП. Устройства на ПАВ, изготовленные на структурах алмазВ ШП ii3IIi и ii3Ii, работают в частотном диапазоне 0,,5 ГГц при ширине электродов ВШП , мкм . Для звукопровода устройств на ПАВ пригодны слои поликристаллического алмаза и АУП, осажденные из водородуглеводородиой газовой смеси, активированной любым из известных методов дуговым, тлеющим ВЧ и СВЧ разрядами, близкими к ЭЦР методом нагретой нити а также методами распыления графитовой мишени ионным пучком, ВЧ и на постоянном токе магнетронним распылением и др. Важно применять метод, обеспечивающий формирование бсспористых углеродных слоев с гладкой поверхностью. Последнее условие выполняется только при формировании рентгеноаморфных пленок алмазоподобного углерода. В заключении приведены основные результаты, полученные в диссертационной работе.