Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния

• Автор: Богданов, Александр Александрович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 132 с.

Глава 1. Представления об электронных состояниях в аморфном гидрогенизированном кремнии. Оптические и фотоэлектрические свойства аморфного гидрогенизированного кремния. Основные выводы и постановка задачи
Глава 2. Получение легированных пленок аБ. Г лава 3. Фотоприемная система для С области ультрафиолетово го излучения на базе фоторезисторов с аБг. Глава 4. В фотоприемниках на базе многослойной гетероструктуры, выполненной на кремниевой подложке с эпитаксиальным слоем, удается эффективно менять спектральную чувствительность путем изменения напряжения, приложенного к структуре. Апробация результатов работы. Второй Российской конференции по материаловедению и физико химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния Кремний , МИСиС, Москва, 1 февраля г. Всероссийском симпозиуме с участием ученых из стран СНГ Аморфные и микрокристаллические полупроводники, ФТИ им. А. Ф. Иоффе СПб, 5 9 июля г. Всероссийской конференции Функциональные материалы и структуры для сенсорных устройств, ИОНХ РАН, Москва, ноября г.


Всероссийской конференции Функциональные материалы и структуры для сенсорных устройств, ИОНХ РАН, Москва, ноября г. Научных молодежных школах по твердотельной электронике Твердотельные датчики Санкт Петербург, ноября г. Поверхность и границы раздела структур микро и наноэлектроники Санкт Петербург, 1 декабря г. Аморфный гидрогенизированный кремний известен уже более лег, его свойства широко обсуждаются в зарубежной и отечественной научной литературе. Созданы и используются во многих областях техники различные устройства на основе этого материала, в частности ФП различного назначения, в том числе дешевые фотопреобразователи солнечной энергии 5. Однако полностью потенциал этого материала до сих пор не исчерпан. Во многом это связано с такими проблемами, как отсутствие моделей, пригодных для описания процессов роста пленок а8г. Н, прогнозирования и расчета рабочих характеристик приборов на их основе. Поэтому при анализе свойств структур с а8ГН необходим комплексный подход, начиная с технологии получения пленок и заканчивая электронными свойствами приборных структур на их основе и их эволюцией во времени под влиянием внешних факторов. В отличие от монокристаллических полупроводников, у которых различные технологии их синтеза обеспечивают получение сопоставимых свойств, у аморфных полупроводников, в частности у аБГН, наблюдается тесная зависимость между структурными, электрофизическими и термодинамическими свойствами и способом получения 1. В этой связи для различных практических приложений материала находят распространение различные технологии синтеза аБгН.