Разработка технологических способов управления морфологией поверхности и электрофизическими характеристиками фоточувствительных полупроводников и структур на их основе

• Автор: Маляр, Иван Владиславович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 145 с. : ил.

1.6 Выводы

ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА

КАДМИЯ, В ТОМ ЧИСЛЕ, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ

Описание объекта исследования

Методы исследования, режимы измерения и их обоснование в применении к

исследуемому объекту

Сканирующая зондовая микроскопия

Сканирующая электронная микроскопия

Вторичная ионная массспектрометрия

Электронная ожеспектроскопия

Измерение деградации фотократности при облучении электронами

Модификация структуры, состава и свойств полупроводников на основе при
высокотемпературном отжиге на воздухе
Модификация объма и поверхности поликристаллических плнок ,
полученных термическим испарением, при высокотемпературном отжиге
Модификация объма и поверхности пол и крисп нал и чес к их нчиок ,
полученных термическим испарением и при нанесении органического
свинцовосодсржащего покрытия, с помощью термического отжига
Радиационная стойкость гетерофазных структур
Механизмы радиационной стойкости
Исследование влияния размеров и глубины залегания свинцовосодержащих
кластеров на деградацию фоточувствительных полупроводниковых подложек на основе

Выводы
МОДИФИКАЦИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ПОСРЕДСТВОМ
ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА
Описание объекта исследования
Методы исследования, режимы измерения и их обоснование в применении к
исследуемому объекту
Локальная модификация структуры, состава и свойств полупроводников на основе
при лазерном отжиге
Локальная модификация поверхности и объма структур на основе xi.x при
лазерном отжиге
Локальная модификация поверхности и объма структур на основе СеЯРЬХ при
лазерном отжиге
Выводы
4 ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОСВЕЩЕНИЯ И ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТИЫХ ПОКРЫТИЙ
НА ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ФИЗИКОХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК НА ОСНОВЕ
Описание объекта исследования материалов и технологии
Методы исследования, режимы измерения и их обоснование в применении к
исследуемому объекту
Электронная ожеспектроскопия
Измерение вольшамперных характеристик
Измерение туннельных вольшамперных характеристик
Измерения поверхностной фотоЭДС
Эллипсометрия 1 Ю
Исследование влияния освещения на электрофизические свойства кремниевых
подложек
Измерения поверхностной фотоЭДС подложек
Оценка изменения параметров полупроводниковых подложек при освещении
Исследование влияния освещения на физикохимические свойства кремниевых
подложек
Исследование влияния полиэлектролитных покрытий на электрофизические свойства
кремниевых подложек
Измерения поверхностной фотоЭДС
Обработка туннельных волыпамперных характеристик
А натз результатов
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


ВВЕДЕНИЕ. Образование поверхностных состоянии. Физическая адсорбция. Локальная модификация поверхности и объма структур на основе xi. СсКЗРЬБ при освещении. Сс1Б С1ХС. Би модифицированного полиэтиленимииом. Впервые для поликрнсталлнчсских плнок xi. Способ изготовления фотопроводящнх радиационностойких пленок. С.В. Стецюра, Е. Г. Глух о вс кой, Л. А. Ссрдобинцев, И. В. Маляр Заявлено . Опубл. Бюл. РФФИ 9СТа. У.М. И.И. Все основные экспериментальные результаты диссертации были получены автором. С.В. Стецюрои. Ульяновск, , , гг. Саратов, гг. Звенигород, . I патент на изобретение. Образование поверхностных состоянии. И. Е.