Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP
- Автор:
Сусляков, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Саратов
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники | Кривошеева, Александра Николаевна | 2007 |
| Близкопольная сканирующая зондовая микроскопия для формирования и измерения свойств наноразмерных структур | Душкин, Игорь Валерьевич | 2003 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния | Рыжук, Роман Валериевич | 2010 |