Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP
- Автор:
Сусляков, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Саратов
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники | Кушхов, Аскер Русланович | 2004 |
| Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи | Зайцев, Сергей Иванович | 2000 |
| Рентгенодифрактометрическое исследование деформаций гетероструктур кубической и гексагональной систем | Галушко, Михаил Анатольевич | 2002 |