Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP
- Автор:
Сусляков, Юрий Васильевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Саратов
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP», автор — Сусляков, Юрий Васильевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Саратов в 2004 году. Объем работы: 143 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002741527. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия | Тарасова, Елена Александровна | 2017 |
| Разработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структур TiO2/пористый SiC | Московченко, Николай Николаевич | 2006 |
| Нелокальные взаимодействия и коллективные эффекты в системах магнитных нанообъектов | Сапожников, Максим Викторович | 2000 |