Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники
- Автор:
Кушхов, Аскер Русланович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нальчик
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления | Старостина, Елена Алексеевна | 2001 |
| Моделирование процессов в теплофизических микросенсорах | Козлов, Александр Геннадьевич | 2015 |
| Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами | Иконников, Антон Владимирович | 2006 |