Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники
- Автор:
Кушхов, Аскер Русланович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нальчик
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники», автор — Кушхов, Аскер Русланович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Нальчик в 2004 году. Объем работы: 148 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002637061. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики | Рубан, Олег Альбертович | 2019 |
| Исследование способов улучшения тепловых режимов теплонагруженных микроэлектронных устройств | Палий, Александр Викторович | 2007 |
| Магнитоэлектрическое взаимодействие в феррит-пьезоэлектрических структурах в области магнитоакустического резонанса | Рябков, Олег Владимирович | 2007 |