Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники
- Автор:
Кушхов, Аскер Русланович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нальчик
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов | Ратникова, Александра Константиновна | 2012 |
| Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP | Пушкарёв, Сергей Сергеевич | 2013 |
| Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах | Глыбин, Александр Анатольевич | 2012 |