Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
- Автор:
Юрасов, Дмитрий Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
153 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления | Старостина, Елена Алексеевна | 2001 |
| Разработка и исследование чувствительных элементов датчиков давления на основе структур "кремний на сапфире" с использованием лазерных технологий | Буй Тхань Хай | 2016 |
| Термостимулированные процессы на глубоких уровнях в полупроводниках и гетероструктурах на их основе | Коровин, Александр Павлович | 1999 |