Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
- Автор:
Юрасов, Дмитрий Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
153 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями», автор — Юрасов, Дмитрий Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2012 году. Объем работы: 153 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006516963. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование технологических основ наноразмерного профилирования методом фокусированных ионных пучков для создания элементов микро- и наносистемной техники | Громов, Александр Леонидович | 2016 |
| Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии | Ремизов, Дмитрий Юрьевич | 2008 |
| Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием | Гейфман, Евгений Моисеевич | 2000 |