Формирование и диагностика нанометровых многослойных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности

• Автор: Гук, Александр Витальевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 198 с. : ил.

1.1 Физикохимические основы молекулярнолучевой эпитаксии полупроводниковых слоев.

1.2 Классификация многослойных гетероструктур для полевых транзисторов

1.3 Требования к прецезионности состава и толщины функциональных слоев транзисторных гетероструктур. Основные методы диагностики.

Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ И ОПТИМИЗАИЯ ТЕХН0Л ИИ

МОЛЕКУЛЯРНО ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ФОРМИРОВАИЯ

МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

2.1 Установка МЛЭ и подготовительные работы.

2.2 Оптимизация технологии МЛЭ для получения высококачественных гетеропереходов АЮаАзОаАя

2.3 Особенности формирования псевдоморфных гетероструктур КАЮаАзЛпСаАяСаАз

Глава 3. ФОТО ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ

ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В

ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
3.1 Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах ИАЮаАзСаАз.
3.2 Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированнолегированных гетероструктурах МАЮаАзОаАз.
3.3 Влияние электрического поля на спектры фотолюминесценции двумерного электронного газа высокой плотности в гетероструктурах.
3.4 Особенности фотолюминесценции ДЭГ в псевдоморфных квантовых ямах ЫАЮаАзЛпОаАзСа.Аз и его транспортные свойства.
Глава 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СВЕРХТОНКИХ СЛОЕВ И
ГРАНИЦ РАЗДЕЛА В СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ МЕТОДОМ ДВУХКРИСТАЛЬНОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ.
4.1 Техника эксперимента и методика приготовления образцов
4.2 Основы метода анализа и выбор модели.
4.3 анализ экспериментальных дифракционных кривых и обсуждение результатов.
4.4 Выявление переходных слоев на гетерограницах многослойных эпитаксиальных структур А v
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


Кроме того, поскольку электронный газ локализован в очень узком слое толщиной нм, более тонком, чем де Бройлевская длина волны электрона в полупроводнике ,, то движение электрона здесь уже не описывается в рамках классической механики, а подчиняется законам квантовой механики. Соответствующие эффекты размерного квантования энергетического спектра электронов влияют как на концентрацию электронов в канале, так и на транспортные свойства ДЭГ. Рассматриваемые системы с ДЭГ оказались чрезвычайно эффективными для т. НЕМТ i ii i
технологии нового поколения СВЧтранзисторов на частоты до ЮОГГц и выше. Благодаря высокой электронной подвижности и, соответственно, высокой скорости пролета электронов, они обеспечивают достижение более высоких частот, мощностей, а также более низких значений коэффициента шума, чем обычные арсенидгаллиевые, а тем более кремниевые транзисторы. Для успешного развития нового класса транзисторов, в которых за счет образования двумерного газа достигается увеличение подвижности носителей заряда НЕМТструктура, важным представляется решение задачи формирования резких граничных областей и расположений примесей в донорном слое, которые оказывают сильное воздействие на параметры полупроводниковых приборов. Одним из возможных путей реализации такой задачи является выращивание структур с помощью технологии МЛЭ. Процесс МЛЭ это процесс испарения в сверхвысоком вакууме, когда атомы или молекулы нескольких видов падают на поверхность подложки и прилипают к ней. Нагретая подложка сообщает атомам или молекулам тепловую энергию, в результате чего они мигрируют но ее поверхности и занимают соответствующие положения в кристаллической решетке. Растущие в результате этого процесса слои однородны на большой площади.