Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники

• Автор: Какурин, Юрий Борисович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 153 с. : ил.

Введение

Особенности диффузии в неоднородных структурах твердотельной

электроники

Локальные неоднородные области, обусловленные дефектами кристаллического

строения структуры твердых тел

Аналитические модели процессов ускоренной диффузии в неоднородных структурах

твердотельной электроники

Модели процессов, диффузии в неоднородных структурах в полях внешних сил

Выводы и постановка задачи исследования

Численное моделирование процессов диффузии в неоднородных

структурах твердотельной электроники

Разработка численной модели процесса диффузии в неоднородных структурах
твердотельной электроники
Сравнительный анализ распределений атомов в неоднородных структурах
твердотельной электроники, полученных методами аналитического и численного
моделирований
Исследование влияния условий диффузии на особенности распределений атомов
примесей в неоднородных струкгурах твердотельной электроники
Выводы
Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах
твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений, а также внешних
электрических полей
Разработка численной модели распределения атомов в неоднородных структурах
твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений и внешних
электрических полей
Исследование процессов массопереноса с учетом ускоренной диффузии и действия
полей упругих напряжений
Исследование процессов массопереноса с учетом ускоренной диффузии и
электромиграции
Выводы
Применение численных моделей диффузии для оптимизации режимов формирования
элементов твердотельной электроники и прогнозирования их электрофизических
характеристик
Прогнозирование оптимальных технологических режимов процесса
геттерирования
Прогнозирование емкостных свойств варикапов на основе
рппереходов, сформированных в неоднородном
полупроводнике
Прогнозирование деградации электрофизических свойств элементов твердотельной
электроники на примере транзистора с металлической базой 3
Выводы
Заключение
Список использованных источников


Приложение 1. Фика. ЛНО. ТМБ, сформированных на их основе. ТМБ. Научная новизна. Таганрог, г. Международная научнотехническая конференция, г. Таганрог, г. Таганрог, г. Международные научные конференции, Кисловодск Ставрополь, г. Москва, г. НИР в ВНИИТЦ. Захаровым А. Проведено моделирование планарного геттерироваиия атомов примесей в кремнии. КЭФ2. С и 0С. ТМБ мелкозернистых метшшических пленок, таких как Со, XV, Аи,
В заключении сформулированы основные научные и практические результаты работы.