Структура, электронные свойства и ИК фотопроводимость многослойных гетеросистем InGaAs/GaAs с квантовыми точками
- Автор:
Молдавская, Любовь Давидовна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Структура, электронные свойства и ИК фотопроводимость многослойных гетеросистем InGaAs/GaAs с квантовыми точками», автор — Молдавская, Любовь Давидовна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2007 году. Объем работы: 136 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003404786. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями | Юрасов, Дмитрий Владимирович | 2012 |
| Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов | Бокарев, Дмитрий Игоревич | 2002 |
| Объектно-ориентированное сканирование для зондовой микроскопии и нанотехнологии | Лапшин, Ростислав Владимирович | 2002 |