Структура, электронные свойства и ИК фотопроводимость многослойных гетеросистем InGaAs/GaAs с квантовыми точками
- Автор:
Молдавская, Любовь Давидовна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Структура, электронные свойства и ИК фотопроводимость многослойных гетеросистем InGaAs/GaAs с квантовыми точками», автор — Молдавская, Любовь Давидовна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2007 году. Объем работы: 136 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003404786. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Импульсная плазменная очистка технологических сред от микробиологических объектов в производстве изделий микро- и наноэлектроники | Савкин, Алексей Владимирович | 2002 |
| Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии | Ремизов, Дмитрий Юрьевич | 2008 |
| Исследование методами растровой электронной микроскопии пленок и гетероструктур на основе нитрида галлия | Вергелес, Павел Сергеевич | 2017 |