Моделирование и исследование биполярнополевых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа и приборов на их основе

• Автор: Новоселов, Алексей Юрьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 152 с. : ил.

Основные типы и свойства биполярнополевых полупроводниковых структур и приборов. Современные силовые биполярнополевые структуры БПС с монолитным и гибридным уровнями интеграции. Приборы с ОДС Чтипа на основе рп переходов и однородных материалов. Биполярнонолевые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Усилительные биполярнополевые приборы с оптимизированными характеристиками. Выводы, постановка задачи. МДПбиполярные структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением ГЧтипа и принципы их работы. МДПбпполярных структу р. Схемотехническое моделирование характеристик планарнодиффузионных МДПбиполярных приборов с ОДС 1Чтипа. Исследование и оптимизация обратной связи в МДПбиполярных структурах. Моделирование и исследование приборов с образной вольтамперной характеристикой на основе биполярных транзисторов. Принципы построения и функционирования приборов с ОДС типа на основе однотипных элементов. БТ. Схемотехническое моделирование приборов с ОДС типа на основе БТ. Моделирование симметричных приборов на основе БТ.

Дарлингтон конфигурации Ы1С

Повышение частоты переключения до кГц полевых транзисторов способствует улучшению массогабаритных характеристик как усилительных, так и ключевых устройств на их основе появляется возможность использования легких магнитных материалов и миниатюрных конденсаторных фильтров. Высокое быстродействие сочетается с повышенной устойчивостью к вторичному пробою, с более широкой областью надежной работы по сравнению с БСТ. Такие приборы практически не потребляют тока в цепи управления в стационарном включенном и выключенном состояниях. Отсутствие времени рассасывания при выключении и положительный температурный коэффициент сопротивления стокподложка . Совсем недавно появился новый класс мощных полупроводниковых приборов, сочетающих свойства полевых и биполярных мощных транзисторов БИМОП В1МОБ транзисторы. Их появление обусловлено прежде всего необходимостью устранения главного недостатка полевых транзисторов резкого увеличения сопротивления в открытом состоянии с повышением напряжения. Среди разнообразия БИМОПтранзисторов можно выделить две группы приборы, в которых объединение БСТ и МОПтранзисторов достигается интеграцией монолитной или гибридной на схемном уровне, и приборы с функциональной интеграцией транзисторов. В первой группе приборов взаимосвязь работы отдельных транзисторов долстигается схемным путем. В качестве мощной высоковольтной ступени выходной используется, как правило, БСТ, а для его управления входной каскад используется МОПгранзистор. Это, прежде всего, Дарлинггон конфигурации рис.