Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
- Автор:
Антонова, Екатерина Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование технологии формирования активных диффузионных слоев элементов твердотельной электроники методом импульсной имплантации | Панченко, Валерий Александрович | 2002 |
| Фотоиндуцированные и релаксационные процессы в пленках оксида титана | Завьялов, Анатолий Владимирович | 2010 |
| Исследование механизмов температурной нестабильности и разработка специализированных интегральных схем высокоточной термостабилизации для сканирующей зондовой микроскопии | Пьянков, Евгений Сергеевич | 2010 |