Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
- Автор:
Антонова, Екатерина Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах | Ханин, Юрий Николаевич | 2002 |
| Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля | Мардамшин, Юрий Петрович | 2002 |
| Разработка и исследование технологических основ наноразмерного профилирования методом фокусированных ионных пучков для создания элементов микро- и наносистемной техники | Громов, Александр Леонидович | 2016 |