Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
- Автор:
Антонова, Екатерина Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Молекулярные проводники в матрице эпоксидиановой смолы : формирование, исследование, приложения | Хартов, Станислав Викторович | 2008 |
| Процессы поглощения и излучения света в структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенными на различных подложках. | Байдакова, Наталия Алексеевна | 2019 |
| Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения | Гудовских, Александр Сергеевич | 2014 |