Математическое моделирование оптической бистабильности в условиях светоиндуцированного электрического поля полупроводника

• Автор: Логинова, Мария Михайловна
• Шифр специальности: 05.13.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 145 с. : ил.

1.1. Постановка задачи абсорбционной ОБ

1.2. Обоснование математической модели полевой ОБ

1.3. Анализ устойчивости решений задач ОБ

1.4. Краткие выводы

Глава . Разностные схемы для задач абсорбционной ОБ

2.1. Разностные схемы для задач абсорбционной ОБ с

постоянной подвижностью

2.2. Разностные схемы для задач абсорбционной ОБ с

нелинейной подвижностью

2.3. Сравнение эффективности разностных схем для задач абсорбционной ОБ

2.4. Краткие выводы

Глава 1. Компьютерное моделирование задач абсорбционной ОБ.
3.1. Компьютерное моделирование полевой ОБ.
3.2. Компьютерное моделирование концентрационной ОБ в условиях
свстоиндуцированного электрического поля полупроводника
3.3. Компьютерное моделирование смешанной ОБ
3,4. Влияние коэффициента диффузии электронов на реализацию абсорбционной
ОБ в распределенной модели
3.5. Краткие выводы.
Основные результаты.
Литература


В течение данного периода предложены различные ОБ элементы, основанные на нелинейном поглощении световой энергии, либо на преобразовании частоты лазерного излучения, либо на нарушении законов отражения Снеллиуса, либо на различных свойствах фотонных кристаллов. Наибольшее же распространение получили ОБ схемы, использующие различные нелинейные свойства полупроводников . Среди не изученных механизмов нелинейного изменения характеристик полупроводника оставалась, в частности,
Глава I. Математические модели концентрационной и полевой абсорбционной оптической бистабильности ОБ. Координаты х, I. Постановка задачи абсорбционной ОБ. Предполагается, что в начальный момент времени полупроводник электрически нейтрален. Граничные и начальные условия
сяаЯ Ж. Лг, представляет собой нелинейный коэффициент поглощения среды. В системе уравнений 1. Ь, длина поперечного сечения полупроводника, время, измеряемое в единицах времени рекомбинации свободных носителей зарядов, пх,1 и Лдг, концентрации свободных электронов в зоне проводимости полупроводника и ионизированных доноров, нормированные на максимально возможное в данных условиях их значение. Функция рх,1 безразмерный потенциал электрического поля, ц коэффициент подвижности электронов, О коэффициент их диффузии. Параметр у зависит, в частности, от максимально возможной концентрации свободных носителей заряда, п0 равновесное значение концентрации свободных электронов и ионизированных доноров полупроводника. Заметим, что для выбранной нормировки времени этот параметр должен быть равен 1, однако он оставлен в 1. Функция x2 описывает профиль интенсивности и временную форму оптического импульса, у0 максимальное значение его интенсивности.