Управление процессом выращивания монокристаллов германия на основе контактного метода измерения

• Автор: Саханский, Сергей Павлович
• Шифр специальности: 05.13.06
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 246 с. : ил.

Введение

Глава 1. Управление процессом выращивания кристаллов по способу

Чохральского

Оптические системы управления

Весовые системы управления

Системы управления на основе косвенных методов измерения

Выводы и постановка задачи

Глава 2. Управление процессом выращивания кристаллов на основе контактного

метода измерения

Контактный метода измерения текущей площади кристалла

Управление выращиванием кристаллов на основе

контактного метода измерения
Математическая модель измерения текущей площади кристалла
Выводы
Глава 3. Управление температурой нагревателя, скоростью выращивания кристалла,
скоростью вращения кристалла и скоростью вращения тигля
Управление температурой нагревателя
Управление скоростью выращивания кристалла
Профаммный способ формирования режима выращивания
монокристалла германия кристаллофафического направления 0
Управление скоростью вращения кристалла и скоростью
вращения тигля
Выводы
Глава 4. Система автоматического управления процессом выращивания
монокристаллов германия на основе контактного метода измерения
Принципы построения системы автоматического управления
Алгоритмы работы системы автоматического управления
Выводы
Глава 5. Анализ динамических свойств системы автоматического управления
Динамические свойства температурного контура
Динамические свойства контура скорости выращивания
Динамические свойства двухконтурной системы управления
Выводы
Глава 6. Техническая реализация систем автоматического управления
Конструктивное исполнение систем управления
Тестовая проверка системы управления
Графики работы системы управления
4. Установка вытягивания кристаллов германия для крупногабаритной ИКоптики
Моделирование параметров выращивания кристаллов германия
для крупногабаритной ИКоптики
Выводы
Заключение
Список литературы


Глава 1. Глава 2. Глава 3. Глава 4. Глава 5. Глава 6. ЭВМ. ФГУП Гиредмет г. И. Шендеровича 4. ФГУП Германий г. Красноярск. ЭВМ и так далее. В работе Ю. ФГУП Германий в г. Методы исследований. Научнотехническая конференция Решетиевские чтения май, г. Научнотехническая конференция Решетневские чтения ноября г. Региональная научная конференция Наука. Техника. Пенза. Содержание диссертации опубликовано в работах , , . Методы вытягивания кристаллов из расплава берут начало от работ . Это благоприятствует поддержанию однородности расплава. С и скорости вытягивания кристаллов . Наклон увеличивается с увеличением диаметра кристалла. Гц. Дг Д ДИ i. Рисунок 1. РЬТе, ОаЛя и ОаР 2, 7. Степанова. На рисунке 1. Характеристику весовой системы рисунок 1. Р Кг и, 1. А Г К,, А и Лц
умок 1. Рисунок 1. Характеристика весовой системы
Из выражения 1. К 0,5 г. Шаблон и кристалл соединены гибкой тягой. Для регулирования диаметра кристалла используется эффект Пельтье 6, 6. Слабая светимость расплава германия т.