Новые вирусы гепатита В птиц : Гепатит В птиц как экспериментальная модель для развития новой антивирусной стратегии

• Автор: Прасолов, Алексей Владимирович
• Шифр специальности: 03.00.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 168 с. : ил

Содержание
Введение.
Глава 1. Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников с модифицированной поверхностью. Методы получения. Литобзор
Введение
1.1. Поверхностные поляритоны на поверхности полупроводника с регулярным микрорельефом дифракционной решеткой

1.1.1. Краткие сведения о поверхностных поляритонах

1.1.2. Возбуждение поверхностных поляритонов в туннельных МОМструктурах

1.1.3. Поверхностные поляритоны в фотоприемниках на барьерах Шоггки

1.2. Использование регулярного микрорельефа в оптоэлсктроии

1.2.1. Распределенная обратная связь и вывод излучения в полупроводниковых лазерах

1.2.2. Ввод и вывод излучения в квантовых ямах и свсрхрешетках межподзонные переходы

1.3. Оптические свойства полупроводников с сильно модифицированной поверхностью на примере пористого кремния
1.3.1 Фотолюминесценция пористого кремния
1.3.2. Поляризация фотолюминесценции пористого кремния
1.3.3. Быстрая полоса фотолюминесценции и оксидирование пористого кремния
1.3.4. Электролюминесценция пористого кремния
1.4. Фототравление как метод создания модифицированной поверхности полупроводников
1.4.1. Методы получения регулярного микрорельефа
1.4.2. Аппаратура для изготовления регулярного микрорельефа
1.4.3. Используемые полупроводники и параметры регулярного рельефа
1.4.4. Методика изготовления слоев пористого кремния
1.4.5. Механизмы образования пористого кремния
Глава 2. Разработанные методики получения и исследования поверхности твердых тел с регулярно модифицированной поверхностью дифракционной решеткой
2.1. Теория фотохимического травления полупроводников
2.2. Разрешающая способность процесса, факторы, ограничивающие предельное разрешение
2.3. О соответствии формы рельефа распределению освещенности
2.4. Контроль за ходом процесса травления
2.5. Разработка составов травителей и достигнутые результаты
2.6. .Прецизионное травление металлов
Глава 3. Резонансы фототока и поверхностные нолярнтоны в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела
3.1. Фотоэлектрическое проявление возбуждения поверхностных иоляритонов на внешней поверхности металла быстрая мода в структурах металл полупроводник диодах Шоттки
3.1.1. Поляритонная природа резонансов фототока в диодах Шоттки
3.1.2. Механизм возникновения резонансного фотоогвета в
полупроводнике
3.1.3. Влияние толщины металла и глубины рельефа на резонансное усиление фотоответа в полупроводнике
3.1.4. Влияние возбуждения поверхностных поляритонов на электролюминесценцию структур
3.2. Свойства диодов Шоттки при возбуждении поверхностных поляритонов на границе металл полупроводник медленная мода
3.3. Расчет распределения электромагнитных нолей в слоистых структурах с дифракционными решетками на границах раздела
3.3.1. Резонансное возбуждение поверхностных поляритонов в структурах полупроводник оксид металл
3.3.2. Двойное усиление электромагнитного поля поляритонов в диодах Шоттки
З.З.З Взаимодействие поверхностных поляритонов в
излучающих туннельных МОМструктурах
3.4. Применения исследованных резонансных явлений
3.4.1. Спектральноселективные фотоприемники
3.4.2. Поляризационночувствительные детекторы
Глава 4. Особенности поверхностных ноляритоно в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела
4.1. Дисперсионная кривая поверхностных поляритонов в структуре воздух металл полупроводник
4.2. Возбуждение поверхностных поляритонов при освещении
ТЕполяризованным светом
4.3 Взаимодействие света с глубокими резонансными дифракционными решетками
4.4 Поверхностные дифрагированные волны
Глава 5. Новые методики получения пористых слоев полупроводников
5.1. Получение частично оксидированных слоев пористого
кремния при импульсном анодировании кремния
5.2. Оксидирование нанокристаллитов кремния обработкой в
тяжелой воде
5.3. Управление размерами нанокристаллитов при помощи света
разной длины волны
5.4. Модифицированная модель образования пористого кремния
5.4.1. Реакция диспропорциоиироваиия на начальной стадии образования пор
5.4.2. Роль света при образовании пористого кремния на подложках ртипа.
Глава 6. Квантоворазмерная природа фото и электролюминесценции пористого кремния. 1
6.1. Электролюминесценция в системе кремний пористый
кремний электролит
6.1.1. Методика измерений
6.1.2. Спектральные характеристики катодной электролю
минесценции
6.1.3. Кинетика электролюминесценции
6.1.4. Поляризационные зависимости в электролитах с раз
ной смачиваемостью
6.2. Модель переноса зарядов и возникновения электролюминесценции в системе кремний нанокристаллиты кремния электролит. Сравнение с экспериментом
6.2.1. Биполярная инжекция электронов и дырок в нанокри
сталлиты кремния
6.2.2. Электрохимические процессы при катодной электро
люминесценции пористого кремния
6.2.3. Электрохимические процессы при анодной электро
люминесценции и окислении пористого кремния
6.2.4. Энергетический обмен при электролюминесценции
пористого кремния
6.2.5. Сравнение разработанной модели с эксперименталь
ными данными
6.3. Фотолюминесценция пористого кремния, изготовленного по
новым методикам главы 5 .
6.3.1. Поляризация фотолюминесценции частично оксиди
рованных слоев пористого кремния.
6.3.2. Инфракрасная полоса фотолюминесценции пористого кремния
Заключение. Основные результаты и выводы
Список основных работ автора
Литература