Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе

• Автор: Шурыгина, Лилия Ивановна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 126 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение

Глава 1 Свойства азида таллия

1.1. Физикохимические свойства, кристаллическая структура и термохимические характеристики азида таллия

1.2. Оптические свойства азида таллия.

1.3 Фотоэлектрические свойства азида таллия

1.4 Фотоэлектрические свойства гетеросистемы азид таллия

алюминий

1.5 Энергетическая структура азида таллия.

1.6 Фотохимическое разложение азида таллия

Глава 2 Методика эксперимента

2.1 Синтез азида таллия.
2.2 Приготовление образцов для исследования
2.3 Методы исследования фотохимического разложения азида
таллия и систем на его основе
2.3.1 Массспектрометрический метод исследования процесса
фотолиза
2.3.2 Методика измерения спектров диффузного отражения
2.3.3 Электрофизические методы исследования
2.4 Актинометрия источников излучения
Глава 3 Фотолиз азида таллия и гетеросистем азид таллия
металл полупроводник
3.1 Фотолиз азида галлия
3.1.1 Кинетические закономерности фотохимического разло
жения ПИз
3.1.2 Спектральные распределе1гия скорости фотолиза, фототока
и контактной фото ЭДС в азиде таллия.
3.1.3 Кинетические закономерности фототока в I
3.2 Влияние металлов на фотохимическое разложение I
3.2.1 Кинетические закономерности фотохимического
разложения гетеросистем I металл
3.2.2 Спектральные распределения скорости фотолиза V, фото
тока и фотоЭДС ХТф для гстсросистем I металл
3.2.3 Кинетические закономерности фототока в гстсросистемах
I металл
3.3 Влияние полупроводников на фотохимическое разложение
3.3.1 Кинетические закономерности фотохимического
разложения гетеросистем I полупроводник
3.3.2 Спектральные распределения скорости фотолиза V,,, фото
тока Дф и контактной фотоЭДС 1ф в гегеросистсмах
I3 полупроводник
3.3.3 Кинетические закономерности фототока в гетеросистемах
I полупроводник
3.4 Исследование темнового пост газовыделения.
3.5 Количественная проверка основного соотношения для фо
тогальванического элемента
Глава 4 Закономерности формирования твердофазного продукта
фотолиза азнда таллия и гетеросистем азид таллия металл и азид таллия полупроводник
4.1 Идентификация твердофазного продукта фоторазложения
азида таллия
4.2 Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза I
4.3 Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза гетероси стем азид таллия металл
4.4 Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза гетероси стем I полупроводник
4.5 Определение лимитирующей стадии процесса роста частиц таллия
Глава 5 Фотопроцсссы в гетсросистемах азид таллия металл полупроводник
5.1 Диаграммы энергетических зон гетероконтактов азид
таллия металл.
5.2 Тсмновыс процессы в гетсросистемахIз мстатл.
5.3 Диаграммы энергетических зон гетероконтактов I
, I , I, .
5.4 Темновые процессы в гетсросистемах азид таллия полу 0 проводник
5.5 Фотоэлектрические процессы в гетеросистемах I, ме 4 талл полупроводник
5.6 Механизм фотохимического разложения I, и
гетеросистем I, металл полупроводник
5.7 Расчт кинетических параметров процесса фотохимического 2 разложения I, и гстсроснстем на его основе
Основные результаты и выводы
Литература


Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири Кемерово, Всероссийской научной конференции Молодежь и химия Красноярск, Всероссийской научной конференции Молодежь и химия Красноярск, Международной конференции Физикохимические процессы в неорганических материалах Кемерово, 1 Всероссийской научной школе молодых ученых Радиационная физикохимия неорганических материалов Томск, . По результатам выполненных исследований опубликовано работ. Структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка цитируемой литературы
В первой главе рассмотрены физические и физикохимические свойства азида таллия, структура его энергетических зон, известные на настоящий момент электрофизические свойства азида таллия и юеросистем на его основе, а также фотолиз азида таллия. Во второй главе описаны методики ситгтеза азида таллия и приготовление гетеросистем на его основе. При изучении кинетических закономерностей фотолиза и изменения величины фототока в I и гстсросистемах металл полупроводник возникает ряд трудностей, объясняющихся спецификой исследуемых объектов. Так как на начальных стадиях фотохимического разложения I3 образуются небольшие количества продуктов фотолиза газообразного азота и металлического таллия, то выбранные методы исследования фотохимической и фотоэлектрической чувствительности I и гетсросистсм на его основе должны обладать высокой чувствительностью. Поэтому для исследования фотохимической чувствительности I и гетеросистем i полупроводник было отдано предпочтение массспектрометрическому и спсктрофотометричсскому методам. Для исследования темновых и световых ВАХ, спектральных распределений фотогока и фотоЭДС был выбран наиболее чувствительный электрофизический метод. В третьей главе рассматриваются закономерности образования газообразных продуктов фотохимического разложения азида таллия и гетсросистсм на его основе в зависимости от интенсивности светового потока и времени предварительного облучения. Показано, что основным газообразным продуктом фотолиза I и гетсросистсм ТШзметалл полупроводник является азот. Изучено его накопление при фотолизе азида таллия и гегсросистем на его основе при воздействии света с длиной волны 5 нм. Установлено, что кинетические кривые накопления азота при фотолизе индивидуального азида таллия и гстсросиетем ТВфмегалл полупроводник подобны. П участок ускорения, IV участок насыщения, V участок темпового пост газовыделения. Скорость фотолиза Уф для всех изученных систем на I и III участках кинетической кривой пропорциональна квадрату интенсивности светового потока, а на участках II интенсивности в первой степени. Кинетические кривые фототока и скорости газовыделения при фотолизе коррелируют между собой Фототок . I участке кинетической кривой пропорционален первой степени интенсивности светового потока, а на участке II корню квадратному из интенсивности. Обработка образцов светом с X 5 им в течение времени достижения I и II участков на кинетической кривой газовыделения мин не приводит к изменению формы кривой скорости фотолиза при повторном освещении гетеросистсм. После предварительного освещения образцов в течение мин вид кинетических кривых существенно изменяется скорость фотолиза резко увеличивается на I и II участках и монотонно возрастает на участке III до значения V,, на IV участке. Длительное босс 3 гасов освещение образцов приводит к снижению Уф на всех участках кинетической кривой. Хранение в течение часов и более в условиях вакуума 1 О5 Па и в темноте образцов I и гстеросистем I,металл полупроводник, предварительно экспонированных в течении мин светом с . Рассчитаны эффективные константы скорости образования газообразного азота. В четвртой главе методом, основанным на теории фотоэмиссии, проведена идентификация твердофазного продукта разложения ПЫз металлического таллия. Установлено, что край резкого изменения отражательной способности азида таллия и г етеросистсм на ею основе находится при 0 нм. В результате экспонирования образцов I и гетеросистем металл полупроводник в течение 1 с наблюдается увеличение отражательной способности в интервале .