Синтез и физико-химические исследования электролюминесцентных материалов на основе сульфида цинка

• Автор: Шахмалиева, Светлана Шахмалиевна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Ставрополь
• Количество страниц: 146 с. : ил.

1.1. Люминесценция порошковых электролюминесцентных структур.

1.1.1. Основные электронные переходы в люминесценции.

1.1.2. Свечение электролюминофоров на основе сульфида цинка.

1.1.3. Модели энергетических переходов в люминесценции фосфоров

1.1.4. Реализация моделей энергетических переходов при излучении в основных полосах люминесценции . фосфоров

1.2. Модели процессов старения порошковых электролюминофоров

1.2.1. Механизмы старения порошковых электролюминофоров переменного тока ЭЛФ

1.2.2. Способы стабилизации параметров порошковых ЭЛФ.

1.2.3. Механизм процесса формовки порошковых элекгролюминофоров, возбуждаемых постоянным полем ЭЛТТП.
1.2.4. Процессы старения порошковых электролюминофоров, возбуждаемых постоянным нолем.
1.3. Методы нанесения проводящей фазы на поверхность порошковых электролюминофоров, возбуждаемых постоянным током.
ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.
2.1. Исходные вещества
2.2. Методика синтеза ЭЛПП
2.3. Методика нанесения второй фазы.
2.4. Методика синтеза ЭЛФ.
2.5. Изготовление электролюминесцентных конденсаторов.
2.6. Методы измерения светотехнических характеристик ЭЛПП.
2.7. Методы измерения светотехнических характеристик ЭЛФ
2.8. Методы измерения спектральных характеристик
2.9. Методы физикохимического анализа
Глава 3. НЕКОТОРЫЕ ПРОБЛЕМЫ ОПТИМИЗАЦИИ ПОДБОРА АКТИВАТОРОВ ПРИ СИНТЕЗЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРОВ НА
ОСНОВЕ СУЛЬФИДА ЦИНКА.
Глава 4. ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЗА СЧЕТ ИЗМЕНЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ.
4.1. Изучение влияния центров свечения, обусловленных введением серебра в основу люминофора 2пБСи,С1, на эффективность свечения. .
4.2. Изучение влияния введения золота в качестве сенсибилизатора в основу люминофора 2пБ Си,Мп на эффективность свечения
ГЛАВА 5. ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ И ХИМИЧЕСКОГ О СОСТАВА ВТОРОЙ ФАЗЫ НА КАЧЕСТВО БАРЬЕРА И ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРОВ
5.1. Изучение влияния технологии нанесения второй фазы на качество барьера и электрооптичсские характеристики элекгролюминофоров
5.1 Л. Качественная картина осаждения проводящей фазы при различных методиках ее нанесения
5.1.2. Влияние технологии нанесения второй фазы на ее инжекционные свойства.
5.1.3. Влияние технологии нанесения второй фазы на качество высокоомного барьера.
5.1.4. Изучение механической устойчивости фазы СихБ, полученной электрохимическим методом
5.1.5. Спектральные характеристики ЭЛПП с проводящей фазой, полученной разными методами
5.2. Изучение влияния химического состава второй фазы на качество барьера и электрооптические характеристики электролюминофоров
ЛИТЕРАТУРА
ВВЕДЕНИЕ


Часть электронов, поставляемых донорами О, располагается в этом случае на уровнях акцепторов А. Поскольку доноры и акцепторы оказываются теперь заряженными, они могут объединяться во время приготовления люминофора в донорноакцепторные пары, и переходы, сопровождающиеся излучением, могут происходить внутри таких пар. В некоторых случаях как основной, так и возбужденный уровень примесного центра попадают в запрещенную зону, и процессы поглощения энергии и излучения могут происходить в пределах этого центра внутрицентровая люминесценция переход на рис. З.П. А
Ас и
ТТ
Рис. Схема основных электронных переходов. В.З. Помимо излучательных рекомбинаций, происходящих с участием донорноакцепторных пар и одиночных примесных уровней, значительной вероятностью могут обладать рекомбинации через экситоиныс состояния на рис. Подобные состояния образуются в запрещенной зоне и принадлежат водородоподобной системе слабосвязанных электрона и дырки. Экситоны могут как возбуждаться непосредственно, так и возникать из свободных электронов и дырок. Типичный процесс рекомбинации с участием примеси происходит следующим образом. После межзонного возбуждения переход 1 на рис. Для того чтобы процесс рекомбинации был термически устойчивым, уровни центров свечения должны быть достаточно удалены от краев обеих зон т. Напротив, могут существовать мелкие уровни ловушки Л на рис. И имеет малую вероятность. Подобные уровни могут служить источником электронов при люминесценции, возбуждаемой сильным полем. Известно несколько типов процессов, приводящих к появлению люминесценции твердых тел в электрическом ноле. Наиболее простым примером возбуждения может служить свечение, возникающее в рппереходах, включенных в прямом и обратном направлениях. В одном случае внешнее поле дает возможность электронам из побласти и дыркам из робласти сблизиться и рекомбинировать, в результате чего возникает так называемая инжекционная электролюминесценция, имеющая место в разного рода световых диодах . Причем инжекция носителей может происходить и непосредственно из электродов, соприкасающихся с кристаллом 8. В другом случае неравновесные электроны и дырки или возбужденные центры свечения создаются сильным полем рпперехода, включенного в обратном направлении. К предпробойной электролюминесценции относится эффект Дестрио ,. Наблюдается предпробойная электролюминесценция и в монокристаллах, имеющих непосредственный контакт с электродом в структурах металл диэлектрик полупроводник МДП ,, в диодах Шоттки при напряжениях обратного смещения . Известно, что хорошим электролюминофором является сульфид цинка, сильнолегированный медью. В таком случае на кристалликах может образовываться фаза СщЭ где х 1,. Георгобиани и Фок предположили, что эта фаза образует с п 2п5Си гетеропереход, который при обратном смещении является областью концентрации поля. При наложении напряжения прикатодный гетеропереход смещается в обратном направлении и зона проводимости в опускается ниже валентной зоны Сих8 рис. Электроны из валентной зоны Си туннелируют в кристалл сернистого цинка, разгоняются сильным полем и производят ударную ионизацию кристаллической решетки или центров свечения. Возникающие при этом дырки захватываются центрами свечения, а электроны движутся к противоположному концу кристаллика, где происходит их рекомбинация с центрами свечения, ионизованными в предшествующий полупериод переменного напряжения, когда там было сильное поле. Здесь предполагается наличие двух гетеропереходов, включенных так, что в каждый полупериод действия поля возбуждение электролюминесценции происходит только в одном из них. Одновременно у противоположного гетероперехода происходит рекомбинационное излучение, реализующее светосумму, запасенную в предыдущий полупериод напряжения. Определяющую роль фазы Сих8 в электролюминесцентных свойствах люминофоров сернистого цинка убедительно показана различными авторами 4,. Роль Си является особенно важной при изготовлении элсктролюминссцирующих панелей, работающих при постоянном напряжении.