Состояние гетеровалентных атомов меди и железа в слоистых перовскитоподобных сложных оксидах

Состояние гетеровалентных атомов меди и железа в слоистых перовскитоподобных сложных оксидах

Автор: Михайлова, Мария Васильевна

Шифр специальности: 02.00.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2001

Место защиты: Санкт-Петербург

Количество страниц: 165 с. : ил

Стоимость: 250 руб.

Состояние гетеровалентных атомов меди и железа в слоистых перовскитоподобных сложных оксидах  Состояние гетеровалентных атомов меди и железа в слоистых перовскитоподобных сложных оксидах 

Содержание
ВВЕДЕНИЕ
1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
. 7. Кроткая характеристико объектов исследования
1.2. Структурные и сверхпроводящие свойства
1.3. Магнитные свойства
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ .
2.1. Синтез сложных оксидов , , , ,
,.0. 5Сио.9о., I, .I,, ,. i,
I
2.2. Синтез твердых растворов ,.8iI,.,
,0.80. 20..0.45i4 ,50.уСио.9уо. , ОО.уВОО.уСиуА,.у , ,.5,.0 I.4 .
2.3. Химический анализ твердых растворов ,5,.0.I,.4,
10, 0.80 5 0 0 .2I.4, , ,0..9. ii,
50, 0 i, . 4, ,.8 О 8АуРуА,.у .
2.4. Физикохимические методы исследования полученных систем.
2.4.1. Краткая характеристика использованных методов исследования
2.4.2. Метод статической магнитной восприимчивости
2.4.3. Методики обработки полученных результатов.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Структурные особенности сложных оксидов и твердых растворов, полученных на их основе .
3.2. Резонансные методы исследований.
3.2.1. Спектры электронною парамагнитного резонанса
3.2.2. Магнитозависимос СВЧ поглощение.
3.2.3. Спектроскопия ядерного гамма резонанса .
3.3. Магнитная восприимчивость исследованных систем
3.3.1. Система 54 1I .
3.3.2. Система у1а1о.угс5уСво59.уСиОI УоЗгоцСоозАЮ
3.3.3. Система у1.,ь5Го.Сио.1о. 7уДо5М0
3.3.4. Система ашВакСиО 1у1.аВаАЮ
3.3.5. Система у1.С,Вао. .i 1у1аВоАЮ4
3.4. Характеристики обменных взаимодействий. Модель экситонного
кластера и его химическая природа
ВЫВОДЫ .
ЛИТЕРАТУРА


Помимо октаэдрической Си координации, медь легко допускает плоскоквадратную Си и пирамидальную , по этой причине в системе СиО существует большое число иеровскитоподобных структур, дефицитных по кислороду 6. Степень окисления меди в этих оксидах но наиболее распространенному мнению превышает два сумма Си2 и Си3. В ряде работ, однако, оперируют представлениями о наличии или перекисного кислорода , т. В этих работах, как правило, игнорируются химические аспекты строения, тогда как модель Си2Си3 основана на учете суммы химических знаний о системах структуры, условий образования, химических свойств. При изменении величины хнаблюдаются два перехода в СЛIсостояние при х 0. С 1состояние Тс К, и при 0. Тс К. Поданным , оксид ЬаЗго. СиО. Тс К, а согласно 1 Тс К. Структура сложного оксида Па, 8з5г5СО1 была исследована выше и ниже температуры перехода в СПсостояние методом нейтронной дифракции . Она тетрагональная, при Т 0 К параметры элементарной ячейки составляют а 3. Л, с . Л. олученная величина занятости кристаллографических позиций 1. Изменение заряда при замещении Ьа3 на 8г2 приводит к окислению Си2 в Син. Структура Ьа2лгСиО, 0. Полученные образцы имели структуру типа К2Р4. Для х 0. Ь 3. А, с . А. Занятость позиций кислорода указывает на наличие не более 1 вакансий . Приведенные примеры показывают, что в литературе нет расхождений относительно характерных значений параметров решетки тетрагональной фазы а, Ь 3. А, с, . А. Расстояние Си01 а12 1. А и расстояние Си02 равно 2. А . Си 6. В тетрагональной структуре оксидов типа Ьа2МдСи давно обнаружено наличие орторомбических искажений, мри понижении температуры происходит структурный фазовый переход из тетрагональной Т в орторомбическую О фазу. В последнее время в литературе существует следующая трактовка структурных изменений, учитывающая образование трех фаз рисунок 1. Низкотемпературная тетрагональная фаза , пространственная группа симметрии аЛ Ь 5. А, с . А ,1. Низкотемпературная орторомбическая фаза i, пространственная группа симметрии В а0 5. А, Ь 5. А, с0 . ЛТфаза впервые была обнаружена в Ьа2гВагСи. Согласно рисунку 1. Тс и аномальное поведение ряда электронных свойств коэффициента Холла, проводимости. Рисунок 1. Электронноструктурная фазовая диаграмма для системы 1а. Эти аномалии связывают с появлением в этой фазе неэквивалентных положений атомов кислорода 01 в плоскости Си. При повороте октаэдров Си вокруг ОСИ Со все четыре 01 выходят из плоскости, в то время как в ЬТТфазе только два 01 находятся вне плоскости Си2, что приводит к локальному перераспределению заряда со значительным изменением электронных свойств. Установлено, что все упомянутые выше три фазы образуются в результате наклона и искажения октаэдров СиОс. Пожалуй, это единственный вывод, который не оспаривался б другими авторами. I ПТ в ЬТОфазу октаэдр искажается около тетрагональной 0 оси. Далее, при переходе из ЬТО в 1ЛТфазу октаэдр искажается около двойной 0 оси. Суперпозиция этих двух искажений приводит к изгибу плоскости Си2 в 0 и 0 направлениях , рисунок 1. Кроме того, встречается иное название 1ЛТфазы в работе . Ее характеризуют, как ЬТ пространственная группа симметрии Рссп. В последние годы в литературе появился термин эффект 18, характеризующий состав сложных оксидов Ьа2,8гВадСи х 0. ВТТфаза, при котором происходит резкое подавление СПсвойств . Нужно отмстить, что система 1. ВалСи0. Ва2 г 1. Области существования этих трех фаз в системе Ьа2 гВагСиО, были определены в работах 1,. ЬТОфаза стабильна в пределах 0 х 0. ЛТфаза стабильна в пределах 0. НТТфаза при х 0 Переход из ШТфазы в ТЛГОфазу происходит при температуре 0 К, из ВТО в ВТТфазу при температуре К. Согласно этим данным область существования ЬТТфазы в Ьа2хВаСи значительно шире, чем в случае Та2 д8ггСн. Обычно это объясняют разницей ионных радиусов Бг2 и Ва2. Для системы Ьа2д. В литературе отсутствуют объяснения, существования этой разницы. При этом, является она сверхпроводящей или нет, до конца не установлено. Система Ьа2гВагСиО.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

10.02.2018

Бесплатные авторефераты диссертаций

Дорогие друзья! Мы развиваем наш сервис и спешим сообщить, что на нашем сайте для ознакомления доступны афторефераты диссертаций. На данный ...

02.01.2018

С Новым 2018 Годом!

Поздравляем Вас с Новым 2018 Годом и наступающим Рождеством! Желаем Счастья и новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.040, запросов: 119