Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
- Автор:
Малышева Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника», автор — Малышева Евгения Игоревна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2016 году. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs | Морозов, Сергей Вячеславович | 2002 |
| Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями | Пусеп, Юрий Александрович | 1985 |
| Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами в магнитном поле | Григорьев, Филипп Сергеевич | 2016 |