Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
- Автор:
Малышева Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах | Зотова, Оксана Васильевна | 2004 |
| Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения | Николаев, Данил Валериевич | 2010 |
| Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6 | Лифшиц, Мария Борисовна | 2002 |