Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
- Автор:
Малышева Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии | Росола, Иван Иосифович | 1984 |
| Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О | Копелевич, Григорий Александрович | 1999 |
| Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах | Карпасюк, Владимир Корнильевич | 1998 |