Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
- Автор:
Малышева Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния | Суворова, Александра Александровна | 1999 |
| Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов | Ушаков, Виктор Валентинович | 1985 |
| Процессы испарения и кристаллизации окисных слоёв на германии | Горохов, Евгений Борисович | 2005 |