Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
- Автор:
Малышева Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек | Королев, Никита Викторович | 2013 |
| Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия | Пономарев, Иван Викторович | 2011 |
| Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111) | Азатьян, Сергей Геннадьевич | 2008 |