Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs

• Автор: Морозов, Сергей Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 129 с. : ил

Содержание
ВВЕДЕНИЕ
1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ааАвЛпАэ
(ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
1.1. Методы фотоэлектрической спектроскопии. Сравнение фотоэлектрической и фотолюминесцентной спектроскопии
1.2 Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми
ямами СаАвЯпСаА»
1.3. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми
точками СаАвЯпАв
2. РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОКОПИИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ СаАвЯпАв. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Получение структур
2.2. Спектроскопия фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс
2.3. Спектроскопия фотоэдс в электролитической ячейке
2.4. Спектроскопия фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми точками в электролитической ячейке
3. ОСОБЕННОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ СаАвЯпАэ
3.1. Требования к образцам для фотоэлектрической спектроскопии.
Сравнение методов фотоэлектрической спектроскопии

3.2. Особенности спектров фотоэлектрической чувствительности и фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми точками
3.3. Определение поверхностной концентрации квантовых
точек методом фотоэлектрической спектроскопии
3.4. Связь спектров фоточувствительности и фотолюминесценции с морфологией слоя квантовых точек
3.5. Влияние легирования слоя квантовых точек висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства структур
3.6. Влияние оптической неоднородности гетероструктур с квантовыми точками на спектры их фоточувствительности
4. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА СПЕКТРЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ СаАв/ЫАв
4.1. Влияние электрического поля на спектры фотоэдс в системе полупроводник/электролит
4.2. Влияние электрохимических процессов в системе полупроводник/электролит на спектры ФПЭ
5. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ НЕКОТОРЫХ
МОДЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
СаАв/ТпА»
5.1. Фотоэлектрическая спектроскопия поверхностных
квантовых точек и поверхностных состояний
5.2. Многослойные массивы квантовых точек
Заключение
Основные результаты - выводы работы
Литература
Список публикаций по теме диссертации

Кроме того, в методе ФПЭ в определенной степени совмещаются достоинства методов конденсаторной фотоэдс (неразрушающий, не требует какой-либо предварительной подготовки образцов к измерениям, доступная для внешних воздействий поверхность) и фотоэдс на барьере Шоттки или р-п-переходе (возможность осуществления токового режима измерений и изменения в широком диапазоне напряженности электрического поля в окрестности квантово-размерных объектов).
Спектроскопия ФПЭ предоставляет и некоторые уникальные возможности исследования ГКТ, в частности, возможность изучения in situ процессов дефектообразования и пассивации дефектов в этих структурах, связанных с фотоэлектрохимическими реакциями на их поверхности.
Метод ФПЭ может быть использован как для структур, выращенных на полуизолирущей подложке, так и для структур на проводящей подложке. Как будет показано дальше, метод ФПЭ позволяет получать фотоэлектрические спектры от поверхностных КТ, что не удается сделать другими методами. При использовании некоторых мер предосторожности (подбор неагрессивных электролитов, проведение измерений в режиме разомкнутой цепи), метод дает хорошо воспроизводимые результаты.
Недостатком метода ФПЭ являются узкие возможности температурных исследований, особенно при низких температурах. В исследованиях, связанных с подачей внешнего смещения на ячейку, необходимо учитывать необратимые изменения, связанные с протеканием электрохимических реакций. С другой стороны, изучение влияния процессов окисления, дефектообразования и пассивации дефектов при этих реакциях, представляет самостоятельный интерес (см. раздел 4.2).