+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями

Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями
  • Автор:

    Пусеп, Юрий Александрович

  • Шифр специальности:

    01.04.10

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    1985

  • Место защиты:

    Новосибирск

  • Количество страниц:

    129 c. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
1.1. Зонная структура соединений РЬЛТе 
1.4. Влияние сильного легирования на свойства свободных


ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Зонная структура соединений РЬЛТе

1.2. Эффекты непараболичности

1.3. Структура валентной зоны

1.4. Влияние сильного легирования на свойства свободных

носителей в полупроводниках

ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА

2.1. Блок-схема экспериментальной установки

2.2. Обработка экспериментальных спектров

2.3. Характеристики образцов


ГЛАВА III. ЗАКОН ДИСПЕРСИИ СОЕДИНЕНИЙ Pb^ShJe
3.1. Получение зависимости т по спектрам
поглощения
3.2. Сравнение закона дисперсии, полученного по экспериментальным спектрам о шестизонной
моделью
3.3. Применимость шестизонной модели к описанию
закона дисперсии соединений Pbt_xSnx~fb ••••
ГЛАВА ІУ. СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ В ОБЛАСТИ ВДЦАМЕНТАЛЬНОГО КРАЯ ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

4.1. Эффект Мосса-Бурштейна в сильно-легированных полупроводниках
4.2. Спектры поглощения соединений РК^щТе в условиях вырождения газа свободных
носителей
4.3. Форма края поглощения сильно-легированных полупроводников
4.3.1. Влияние электронного рассеяния на форму края поглощения вырожденных полупроводников РЬ,_х5пхТё
4.3.2. Роль обменного взаимодействия в формировании края поглощения вырожденных полупроводников
4.4. Сдвиг края поглощения в сильно-легированных полупроводниках
4.4.1. Сдвиг края поглощения вырожденных полупроводников РЬ,.х8пхТе
4.4.2. Сужение запрещенной зоны в многодолинных сильно-легированных полупроводниках
4.5. Особенности рассеяния носителей тока в соединениях РЬ,_Х БПхТе
Глава V. ПЛАЗМЕННОЕ ОТРАЖЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ
РЬ,-х5п^Те
5.1. Описание спектров плазменного отражения с
помощью теории Друде

5.2. Определение эффективной массы тяжелых
дырок
5.3. ИК - прозрачность газа свободных
носителей
ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Л!® ЕР АТ УРА

ров шестизонной модели по сравнению с изменением Е^ . Действительно, согласно расчетам зонной структуры соединений РЬ,.х5юх7ё [3], с изменением состава, энергетические расстояния между удаленными зонами в - точке зоны Бриллюэна изменяются слабо по сравнению с расстоянием между двумя ближайшими зонами / И /. Результаты этих расчетов представлены на рис.4 / а также на вставке к рис.15 /. Очевидно, изменение взаимного расположения шести рассматриваемых зон с температурой происходит аналогичным образом. Поэтому, изменение с составом и температурой зависимости Е(к), рассчитанной в шестизонном приближении должно определяться, в основном, изменением ширины запрещенной зоны = Е(Е^) - £(1%).
Целью этого раздела является: а/ экспериментальное подтверждение рассчитанного вГз] изменения с составом зонной структуры РЬ,-х5пх1е в - точке; б/ определение
диапазона составов и температур, при которых можно пренебречь изменением энергетических расстояний до удаленных зон по сравнению с изменением ширины запрещенной зоны при определении закона дисперсии. Для этого были записаны спектры поглощения монокристаллических пленок РЬ,_хЗпхТё с х = 0,0.19,0.26 при комнатной температуре и с х = 0.19 при температурах 300К, 82К и 18К. Закон дисперсии определялся по спектрам согласно; методике, изложенной в первом разделе этой главы. Результаты приведены на рис.15,16. На рисунках сплошными линиями изображены зависимости 8(к) полученные из экспериментальных спектров. Штриховыми линиями показаны зависимости, рассчитанные в шестизонном приближении [28], при этом ширина запрещенной зоны Е% определялась для каждого образца по краю поглощения, а остальные параметры соответствовали измеренным для РЬТе

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.121, запросов: 967