Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
- Автор:
Сумец, Максим Петрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
181 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si | Якушев, Максим Витальевич | 2011 |
| Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика | Бережной, Игорь Геннадьевич | 1999 |
| Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) | Матецкий, Андрей Владимирович | 2012 |