Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Автор:
Ромашко, Лариса Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP | Тулашвили, Эремия Вахтангович | 1984 |
| Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе | Абрамов, Алексей Станиславович | 2001 |
| Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности | Тимошенко, Виктор Юрьевич | 2001 |