Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях

• Автор: Ромашко, Лариса Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 150 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРО ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Сс1хЩ,.хТе И ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ
(Литературный обзор)
1Л. Свойства твердых растворов СйТе
1.1 Л. Зонная структура Сс1Н§Те
1 Л.2.Ширина запрещенной зоны
1Л.3.Эффективные массы носителей
1Л .4.Концентрация носителей в зонах
1Л.5. Время жизни носителей заряда
1Л.6. Подвижность носителей заряда в СйТе
1.2 Основные характеристики фотодиодов на основе
СбЩТе
1.2Л .Технология изготовления фотодиодов
1.2.2.Вольт-амперные характеристики диодов на основе Сс1Н§Те
1.2.3. Токи утечки по поверхности
1.2.4.0бнаружительная способность фотодиодов на
основе CdHgTe
1.3. Основные результаты, полученные по исследованию характеристик диодов на основе СбН£Те и их деградации при механических и температурных воздействиях
ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Технология изготовления п-р переходов на основе СсИТе
2.1.1. Технология изготовления п-р переходов на основе объемных кристаллов Сс1Н§Те
2.1.2. Технология изготовления п-р переходов на гетероэпитаксиальных пленках СёН§Те
2.2. Экспериментальные методы исследования границы раздела СсИТе - 8Ю281зЫ4
2.2.1. Эллипсометрический метод
2.2.2. Масс-спектрометрия вторичных ионов
2.2.3. Методика электрофизических измерений МДП структур
2.2.4.Методика измерений электрофизических параметров диодов
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ п-р ПЕРЕХОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ
СТе/ваАв
ВВЕДЕНИЕ
3.1. Исследование п-р переходов, полученных методом термодиффузии ртути из анодного окисла на
подложках МЛЭСсДТе р-типа
Заключение
3.2. Расчет энергетической диаграммы перехода и определение энергетического уровня ловушки
3.2.1. Расчет зависимости положения уровня Ферми
от температуры
3.2.2. Расчет зависимости концентрации основных и неосновных носителей в р и п типе СсЩ§Те
от температуры
3.2.3. Расчет энергетический диаграммы п-р перехода и определение энергетического уровня ловушки
Заключение
3.3. Влияние давления на характеристики п-рпереходов,
изготовленных на пленках МЛЭ СёНТе
Заключение
, 3.4. Исследование диодов, изготовленных на
гетероэпитаксиальных пленках СйН§Те с различной
концентрацией акцепторов
Заключение
3.5. Выводы главы III
ГЛАВА VI. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК п-р ПЕРЕХОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛАХ С(1ЩТе
ВВЕДЕНИЕ
4.1. Исследование характеристик п-р переходов,
изготовленных на основе объемногоСйТе
Заключение
4.2. Влияние температурных воздействий на параметры
границы раздела СсШТе - (8Ю2-81зИ4)
Заключение

% *4 (М! * 1 х 1011 ст-2)

д/ «s1.1V

і, ІЬІ__“І_і.

V, ВОЛЬТ

Рис.6. Вольт - фарадная характеристика МДП структуры[56].
В случае, когда контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником мала, фиксированный заряд в диэлектрике определяется из напряжения плоских зон:.
АУ/ь =Утеор-Уэксп - разность напряжений плоских зон между высокочастотной экспериментальной и теоретической С-У характеристиками, Са- емкость диэлектрика, Д -площадь МДП структуры, 0, - заряд на границе раздела. Сдвиг С(У) характеристики по оси напряжений нужно определять на уровне емкости плоских зон С/ъ, которую можно найти по соотношению:
(25)
(26)