Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Автор:
Ромашко, Лариса Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями | Цибизов, Александр Геннадьевич | 2004 |
| Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств | Ребров, Сергей Анатольевич | 1985 |
| МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле | Вайнер, Борис Григорьевич | 1984 |