Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом

• Автор: Титов, Алексей Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Одесса
• Количество страниц: 207 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИГЕРАТУРЫ
1.1. Оптические свойства сульфида цинка
1.2. Люминесцентные свойства сульфида цинка
1.3. Фотоэлектрические свойства сульфида цинка
1.4. Электрофотографические свойства сульфида
цинка
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Приготовление образцов
2.2. Установка для изучения электрофотографических свойств слоев и кристаллов 1п$ и 1п5’Сй$
2.3. Установка для изучения спектров свечения и оптического тушения люминесценции кристалло-фосфоров и кристаллов 1п$
2.4. Установки для изучения фотопроводимости и конденсаторной фото-ЭДС порошкообразных кристал-лофосфоров Zrг5
2.4.1. Установка для изучения фотопроводимости порошкообразных фотопроводников ы
2.4.2. Установка для изучения конденсаторной фото-ЭДС -фосфоров
2.5. Установка для изучения заполненных локальных энергетических уровней в высокоомных фотопроводниках

2.6. Установка для изучения уровней прилипания в
методом термостимулированных токов (ТСТ)
2.6.1. Ячейка для измерения ТСТ в поликристаллических образцах
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА В СЛОЯХ НА ОСНОВЕ -ФОСФОРОВ И КРИСТАЛЛАХ СУЛЬФВДА ЦИНКА
3.1. Электрофотографические характеристики слоев
на основе цинксульфидных кристаллофосфоров
3.2. Темновая релаксация начального потенциала сульфидных ЭФ слоев и кристаллов Zп^5'
3.3. Кинетики фоторазряжения ЭФ слоев и кристаллов ZдS
3.4. Влияние предварительного облучения ЭФ слоев и кристаллов ZдS видимым и ИК светом на начальный потенциал и его релаксацию
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ
СЛОЕВ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ
4.1. Спектры люминесценции -фосфоров
4.2. Спектры фотопроводимости, конденсаторной фото-ЭДС и электрофотографической чувствительности слоев ы
4.3. Спектры ИК гашения люминесценции и фотопроводимости ЭФ слоев на основе Zп$

4.4. Спектры локальных электронных состояний в запрещенной зоне сульфида цинка
4.5. Полные спектры локальных электронных состояний
в запрещенной зоне несенсибилизируемого и сенсибилизируемого красителями IßS
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
ГЛАВА 5. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
СЛОЕВ InS В БЛИЖНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА
5.1. Сенсибилизация электрофотографической чувствительности слоев ZnS с помощью ИК излучения
5.2. Изопотенциальные кривые электрофотографического процесса на ы . Отклонение от закона взаимо-заместимости
5.3. Регистрация ИК излучения с помощью электрофотографических слоев ы
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

спектры локальных электронных состояний по всей ширине запрещенной зоны таких практически важных фотопроводников, какими
Следует отметить, что выяснение природы и оценка параметров локальных электронных состояний является в настоящее время необходимым и важным этапом при изучении любого полупроводника, поскольку такие состояния,являясь центрами локализации свободных носителей заряда, играют определяющую роль в кинетике электронных процессов в объеме, на поверхности и в приповерхностной области полупроводниковых кристаллов и ВДП-структур.
Приведенные литературные данные убеждали нас в том, что ЭФ режим как метод исследования может дать возможности получения новых данных о полупроводниковых свойствах кристаллофосфоров, недоступных еще другим методам.
В результате была определена следующая программа работы:
1. Разработка методики изготовления ЭФ слоев на основе Zfz5' и 2пС(18 - кристаллофосфоров.
2. Создание установок и изучение с их помощью основных электрофотографических свойств данных слоев.
3. Создание установок и изучение с их помощью основных полупроводниковых свойств микрокристаллов в ЭФ слоях.
4. Создание установок и изучение структуры локальных электронных уровней по всей ширине запрещенной зоны фотопроводника в ЭФ слое.
5. Разработка ЭФ процесса в ИК области спектра на основе слоя с кристаллофосфором.
являются в настоящее время 1п0