Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов быстродействующих многофункциональных интегральных схем

• Автор: Стахин, Вениамин Георгиевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 151 с.

Содержание
Введение
Глава! Источники и приемники помех в триггерных
элементах быстродействующих ИС
1.1. Общие положения
1.2. Моделирование помех в ТЭ
1.3. Интегральный триггерный элемент как приемник 22 помехи.
Выводы
Глава2 Помехоустойчивость триггерных запоминающих
ячеек
2.1. Общие положения квазистатического моделирования помехоустойчивости
2.2. Особенности моделирования помехоустойчивости триггерных элементов статических ЗУ
2.3. Особенности квазистатического моделирования динамической помехоустойчивости триггерных
элементов памяти
2.4. Компьютерное моделирование квазистатических характеристик динамической помехоустойчивости для триггерных элементов СО ЗУ
Выводы
ГлаваЗ Моделирование динамической
помехоустойчивости триггерных элементов
3.1. Динамическая помехоустойчивость биполярных триггерных элементов
3.2. Динамическая помехоустойчивость униполярных триггерных элементов

3.3. Малосигнальные динамические характеристики
триггерных элементов
Выводы
Глава4 Элементы схемотехники высокочастотных
помехозащищенных интегральных схем с использованием триггерных элементов
4.1 Высокочастотные элементы памяти
4.2 Элементы схемотехники триггерных ячеек памяти
в м ногопортовых системах
4.3 Элементы схемотехники быстродействующих многофункциональных радиочастотных ИС
Выводы
Заключение
Литература

Введение
Диссертационная работа посвящена исследованию динамической помехоустойчивости и разработке соответствующей элементной базы высокочастотных и многофункциональных микросхем на примере интегральных триггерных элементов.
Актуальность проблемы. Основные тенденции развития современной микроэлектроники связаны с необходимостью повышения уровня интеграции, быстродействия, надежности и реализуются на основе современных промышленных субмикронных технологий. Переход на рабочие частоты свыше 1ГГц, проектные нормы 0,1-0,18 мкм требует принципиально новых методов организации и управления микроэлектронным производством, подходов к проектированию и изготовлению БИС [1-3]. В настоящее время складывается ситуация, когда фактор помехоустойчивости в характеристиках элементной базы в ряде приложений становится определяющим условием работоспособности и точности электронной аппаратуры. Развитие номенклатуры быстродействующих многофункциональных отечественных микросхем сдерживают сейчас как технологические проблемы, так и отсутствие научно обоснованных методик схемотехнического и системного проектирования, как помехоустойчивых функциональных элементов, так и микросхем на их основе, которые могли бы обеспечить качественно более высокие показатели соответствующей электронной аппаратуры. Как показали исследования, проводимые в частности на предприятиях АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон», решение данной задачи только конструктивно-технологическими методами невозможно. Прежде всего это связано с факторами влияния внутренних источников помех и наводок и повышенной чувствительностью компонентов схем к характеристикам сигналов управления и синхронизации [4]. Прежде всего это связано с факторами влияния внутренних источников помех и наводок и повышенной чувствительностью компонентов схем к характеристикам сигналов управления и синхронизации.

Рис.2.2. Сдвиг переключательной характеристики вследствие инерционности плеча ТЭ
ди/и1
Рис.2.3. Квазистатическая помеха как функция постоянных времени сигнала и плеча ТЭ