Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями
- Автор:
Васильевский, Иван Сергеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
308
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка математических моделей и средств проектирования прецизионных источников опорного напряжения в составе интегральных схем | Рябченков, Сергей Сергеевич | 2004 |
| Разработка и исследование однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов | Эннс, Всеволод Викторович | 2009 |
| Использование капилляров для формирования контакта металл-полупроводник | Поярков, Вячеслав Николаевич | 2002 |