Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
- Автор:
Рыльков, Владимир Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
320 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении», автор — Рыльков, Владимир Васильевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2015 году. Объем работы: 320 с. : ил.. Внутренний код товара: 01008024242. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений | Ковш, Алексей Русланович | 1998 |
| Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм | Никитина, Екатерина Викторовна | 2006 |
| Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров | Грачева, Ирина Евгеньевна | 2009 |