Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
- Автор:
Рыльков, Владимир Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
320 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении», автор — Рыльков, Владимир Васильевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2015 году. Объем работы: 320 с. : ил.. Внутренний код товара: 01008024242. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование | Брунёв, Дмитрий Владиславович | 2006 |
| Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы | Сахаров, Алексей Валентинович | 2000 |
| Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова | Сарач, Ольга Борисовна | 2003 |