Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
- Автор:
Рыльков, Владимир Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
320 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов | Ушаков, Виктор Валентинович | 1985 |
| Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения | Ищук, Валерия Петровна | 1983 |
| Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах | Филиппов, Владимир Владимирович | 2012 |