Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
- Автор:
Рыльков, Владимир Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
320 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах | Кукоев, Игорь Юрьевич | 2005 |
| Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией | Куницын, Александр Евгеньевич | 2002 |
| Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe | Фокша, Александр Яковлевич | 1984 |