Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe

• Автор: Фокша, Александр Яковлевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Кишинев
• Количество страниц: 213 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ гпЗе-саБе И КАСКАДНЫХ фотопреобразшате-ЛЕЙ
1.1. Зонные диаграммы и механизм прохождения тока в гетеропереходах
1.2. Получение гетеропереходов ргпТе -псаБе
1.3. Электрические свойства гетеропереходов гпТе
- саБе
1.4. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов йпТе
- саБе
1.5. Каскадные фотодреобразователи
1.6. Выводы по обзору и постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДВУХСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ саБе
2.1. Методика изготовления кристаллов гпТе легированных Р и Ав и их электрические свойства
2.1.1. Получение кристаллов гпТе легированных р
и Ав
2.1.2. Электрические свойства кристаллов ъпТе
( Р , Ав )
2.1.3. Люминесцентные свойства кристаллов 2пТе
( Р , Ав )
2.2. Методика изготовления и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев саБе
2.2.1. Получение слоев саБе и их структурные исследования
2.2.2. Электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства слоев саБе
2.3. Изготовление гетеропереходов ZnTe - саБе и исследование их структур
2.3.1. Гетеропереходы БпТе - саБе типа кристалл-слой

33->

50 55

71 82

2.3.2. Тонкопленочные гетеропереходы гпТе
- саБе
2.4. Выводы по второй главе
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРО' ПЕРЕХОДОВ ZnTe - саБе
3.1. Методика исследования электрических и фотоэлектрических СВОЙСТВ гетеропереходов 2пТе _ саБе
3.2. Вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетеропереходов йпБе - саБе
3.3. Вольт-амперные характеристики гетеропереходов
йпБе - саБе типа кристалл-слой
3.4. Вольтфарадные характеристики гетеропереходов
ZnTe - саБе
3.5. Интегральные характеристики гетеропереходов
ZnTє - саБе
3.5.1. Интегральные характеристики тонкопленочных гетеропереходов гпте - саБе
3.5.2. Интегральные характеристики гетеропереходов
БпТе - саБе типа кристалл-слой
3.6. Спектральные характеристики гетеропереходов
2пТе - саБе
3.6.1. Расчет спектральной чувствительности тока короткого замыкания и коэффициента собирания
3.6.2. Экспериментальные результаты
3.7. Определение диффузионной длины неосновных носителей в гетеропереходах гпТе - саБе
3.8. Выводы по третьей главе
ГЛАВА 4. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТРЕХСЛОЙНЫХ КАСКАДНЫХ СТРУКТУР БпБе - ZaTe - СаБе
4.1. Методика изготовления и структурные исследования трехслойных каскадных фотопреобразователей
гпБе - гпте - саБе
4.2. Электрические свойства каскадных трехслойных структур гпБе - znTe - саБе

125 135

4.3. Фотоэлектрические свойства каскадной структуры
гпэе - гпте - ссйе
4.4. Выводы по четвертой главе
основные вывода
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

этом происходит рост одного или нескольких зародышей, но при их дальнейшем росте некоторые из них постепенно вытесняются другими, и в направлении температурного градиента растут один или несколько крупных монокристаллических блоков. Процесс легирования осуществлялся путем введения примесей в ампулу вместе с материалом. Нами в качестве примесей использовались фосфор и мышьяк.
Основное преимущество метода направленной кристаллизации из не стехиометрического состава состоит в том, что выращивание кристаллов происходит при температурах значительно ниже точки плавления, что приводит к уменьшению диффузии неконтролируемых примесей в выращиваемый кристалл из материала тигля. По этой же причине уменьшается количество механических дефектов.
Другое важное преимущество состоит в том, что, поскольку состав зоны в процессе роста не меняется, так как с одной стороны происходит растворение гпТе , а с другой - его кристаллизация, то данным методам получаются однородные кристаллы.
Согласно диаграмме состояния Ъю. - Те , температура плавления теллурида пинка стехиометрического состава равна 1295°С (см. табл. 1*1, [85]). По мере увеличения процентного содержания теллура температура начала кристаллизации уменьшается и для выбранного состава 20 ат Д Ъп и 80 атД Те имеет значение ~Ю00°С.
2.1.1. Получение кристаллов гпте легированных Р и Ав
В качестве исходных компонент служили цинк марки В-5 и теллур марки В-5. Фосфор и мышьяк использовались только марки В-5.
Состав слитка 20 % цинка и 80 % теллура задавался до сила-