Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
- Автор:
Куницын, Александр Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
117 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование наноструктурных термоэлектрических материалов на основе твёрдых растворов кремний германия n- и p-типа | Усенко Андрей Александрович | 2016 |
| Локализованные состояния и флуктуации в графене | Чэнь Сяосин | 2011 |
| Исследование формирования, электронной структуры и свойств пленок полупроводниковых силицидов кальция на Si(111) | Безбабный, Дмитрий Александрович | 2014 |