Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
- Автор:
Куницын, Александр Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
117 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией», автор — Куницын, Александр Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2002 году. Объем работы: 117 с. : ил. Внутренний код товара: 01002342325. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах | Пономарев, Ярослав Георгиевич | 1983 |
| Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками | Калитеевская, Наталия Алексеевна | 2001 |
| Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током | Лонская, Екатерина Ивановна | 2006 |