Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией

• Автор: Куницын, Александр Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 117 с. : ил

Содержание
Введение
Глава 1. Физические свойства слоев арсенида галлия, получаемых методами ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии.

(Обзор литературы)

1.1. Некоторые методы получения монокристаллов и тонких пленок

арсенида галлия.

1.1.1. Получение полуизолирующих монокристаллов арсенида галлия

методом Чохральского.

1.1.2. Ионная имплантация арсенида галлия.

1.1.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия при низких температурах.

1.2 Выводы к главе 1 и постановка задачи.
Глава 2. Методика исследований и обработки спектров оптического поглощения и фотолюминесценции.
2.1. Требования к экспериментальной установке.
2.2. Схема установки для исследования фотолюминесценции.
2.3. Схема установки для исследования оптического поглощения.
2.3. Лазеры, монохроматор и фотоприемники.
2.5. Обработка спектров люминесценции и поглощения.
Глава 3. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных имплантацией кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложки арсенида галлия.
3.1. Условия роста и описание образцов.

3.2. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных методом
ионной имплантации кремния и фосфора в нелегированную подложку.
3.2.1. Основные механизмы излучательной рекомбинации слоев арсенида галлия, полученных ионной имплантацией кремния.
3.2.2. Излучательная рекомбинация слоев арсенида галлия, полученных совместной ионной имплантацией кремния и фосфора.
3.3. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных методом ионной имплантации кремния и фосфора в подложку легированную индием.
3.3.1. Влияние легирования индием на ширину запрещенной зоны
арсенида галлия.
3.3.2. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных одиночной ионной имплантацией кремния и совместной имплантацией кремния и 50 фосфора.
3.4. Обсуждение результатов.
3.5. Выводы к главе 3.
Глава 4. Исследование фотолюминесценции и оптического поглощения арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (ЬТ-ОаАз) и легированного электрически активными и изовалентными примесями.
4.1. Условия роста и описание образцов.
4.2. Исследования низкотемпературной фотолюминесценции.
4.2.1. Особенности излучательной рекомбинации нелегированных слоев ЬТ-ОаАз.
4.2.2. Низкотемпературная фотолюминесценция слоев ГТ-ОлДя, легированных индием, кремнием и бериллием.
4.3. Исследования оптического поглощения.
4.3.1. Расчет концентрации антисгруктурных дефектов Азо» из спектров оптического пропускания на примере нелегированных эпитаксиальных слоев ЬТ-СаАэ.

4.3.2. Влияние легирования ЬТ-ОаАв электрически активными примесями кремнием и бериллием и изовалентной примесью индием на концентрацию антиструкгурных дефектов Авоа-
4.4. Анализ результатов оптических исследований.
4.5. Выводы к главе 4.
Глава 5. Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний-вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
5.1. Условия роста и описание образцов.
5.2. Исследования низкотемпературной фотолюминесценции.
5.2.1. Излучательная рекомбинация слоев ЬТ-ОаЛв, легированных кремнием.
5.2.2. Излучательная рекомбинация слоев ЬТ-ОаАз, легированных кремнием
и индием.
5.3. Анализ результатов исследования низкотемпературной
фотолюминесценции.
5.4. Обсуждение результатов.
5.5. Выводы к главе 5.
Заключение
Литература
Приложение

last KSWU -> PC
F** ЙФ
Файл: (199, длина (hex) - 00000660 000 - 12ÜU nm с шагом (1UU00UU4 Cei мені N: 1 - 000001 91 точек (hex) 800-1200 nm с шагом 1 nm
Файл: 029, длина (hexj - 00000660 800 1200 nm с шаг им 00000004 Сегмент № 1 - 000001 91 то 800 1200 nm с шагом 1 пп .
0апкач
Файл: 039, длина (hex) • 0(
800-1200 nm с шагом OOOi Сегмент N: 1 - 000001 91 то1 800-1200 nm с шагом 1 niigj
Открытие Файла

Файл: 049, длина (hex) - 01;$ 800 1200 nm с шагом OOOlg Сегмент N: 1 - 0DUU01 91 то | 800 - 1200 піп с шагом 1 пп:§
Файл: 059» длина (hex) - 0(| 800 - 1200 nm с шагом OOOi Сегмент Ns 1 -00000191 TO'j| 800 - 1200 nm с шагом 1 ппй
1147 1149 §р 1181 -83 " j*J019.fda
Ш029fda
* 039.fda
л 049 fdô g С591Ф І») 0G9.lda g 079. Ida І ûæ.fda :i] 0S9.ldä
■tfgj 109 fda
xj] 119.fda
^129fda ip 13« fda *]14Sfda я]159(da «]/S017lda «j«27.lda
ТнпЛгйявд
Г* TûT&RÔ HTédHè
Файл: 0Б9, длина (hex) - 00000660 300 -1200 nm с шагом 00000004 Сегмент N! 1 - 000001 91 точек (hex) 300 -1200 nm с шагом 1 nm
Файл: 079, длина (hex) - 00000660 000-1200 nm сшагон 00000004 Сегмент N! 1 - 000001 01 точек (hex) 000 - 1200 nm с шагом 1 nm
Рис. 2.4 Внешний вид программы преобразования данных.