Резонансное рассеяние медленных электронов на ионах легких элементов

• Автор: Навроцкий, Вячеслав Тадеушевич
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ужгород
• Количество страниц: 160 c. : ил

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР
§1.1. Обзор экспериментальных работ по исследованию резонансного, рассеяния медленных электронов на
ионах Не+, Ве+ и
§1.2. Обзор теоретических работ по изучению резо -нансного рассеяния медленных электронов ионами Не+, Ве+, МС|+
Глава II. ОБЩИЙ ФОРМАЛИЗМ ДИАГОНАЛИЗАЦИОННОГО МЕТОДА РАСЧЕТА РЕЗОНАНСНОГО РАССЕЯНИЯ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ИОНАМИ
§2.1. Получение исходной системы уравнений процесса
рассеяния
§2.2. Основные приближения диагонализационного метода..49 §2.3. Упругое рассеяние электронов на ионах, имеющих в основном состоянии нулевой орбитальный мо
мент
§2.4. Возбуждение резонансных пр %° и метаста -бильных П9 уровней ионов, имеющих в основном состоянии нулевой орбитальный момент
Глава III. ПРИМЕНЕНИЕ ДИАГОНАЛИЗАЦИОННОГО МЕТОДА К ОПИСАНИЮ РЕЗОНАНСНОГО РАССЕЯНИЯ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
НА ИОНЕ Не+
§3.1. Дважды-возбужденные состояния атома Не
§3.2. Резонансы в сечениях рассеяния медленных электронов на ионе Не+
§3.3. Выводы

Глава IV. РЕЗОНАНСНОЕ РАССЕЯНИЕ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
НА ИОНАХ Ве+ »
§4.1. Расчет АИС атомов Ве и
§4.2. Резонансы в дифференциальных сечениях упругого рассеяния медленных электронов на ионах Ве+ и
Мд+
§4.3. Резонансы в сечениях возбуждения 2р ^Р°уровня Ве+ и Зр ^Р° уровня М^+ медленными элек
тронами
§4.4. Выводы
ЗАКЛШЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
СПИСОК ОСНОВНОЙ ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Изучение элементарных процессов, происходящих при электрон но-ионных столкновениях, крайне важно для успешного развития многих направлений современной физики и новой техники, в том числе физики плазмы, астрофизики, физики верхней атмосферы, квантовой химии, квантовой электроники, термоядерной энергетики. В этих процессах важную роль играют квазистационарные (ав-тоионизационные) состояния (АИС) системы "мишень + налетающий электрон", Оже-распад которых приводит к сложной резонансной структуре полных и дифференциальных сечений.
Информация о резонансах является, с одной стороны, источником сведений о структуре сложных атомных систем, позволяющей осуществлять более тщательный отбор теоретических моделей, а с другой - имеет важное прикладное значение. Поэтому всестороннее изучение роли АИС в процессах рассеяния является весьма важной и актуальной задачей как теории, так и эксперимента. Это об -стоятельство отражено в обзорах и монографиях, а также трудах конференций последних лет (см., например,-9] ).
Наиболее надежные экспериментальные данные по рассеянию электронов ионами получают в экспериментах с пересекающимися электронным и ионным пучками. Однако экспериментальное определение сечений возбуждения в пучковых экспериментах связано с рядом трудностей, основной из которых является взаимное влияние объемного заряда электронного и ионного пучков. Кроме того,так
£ Н ъ
как обычно плотность ионов в пучке составляет ^10 -10 см ,что значительно меньше плотности остаточного газа в камере столкновений, выход продуктов реакции (обычно фотонов) необходимо

ьг +усс. + ил.+ зр =о, (2.32)
(Ус|Г)*(Л-Е)С = 0, 'г
(ШР) + (£-Е)Л = 0, <2'34)
(РаЛЕ-;) = 0 при Ры - ?;
Заметим, что решение (2.33) формально может быть записано в виде
С--(А-Е')Ч(У*|Р'). (2.35)
Подставляя (2.35) в (2.32), можно исключить из (2.32) неизвестные коэффициенты С и записать систему (2.32)-(2.34) в виде
- Vе (А-ЕУ1 <УМР) +1Ж * 1Р = 0, (2.36)
(ШР)-*-(£-Е)Л. = 0, (2,37)
(Р*1Р;)= О, = .
Решение Р системы уравнений (2.36) представим в виде
+ ^Р'^ОиСгОЛ., (2.38)
где Г(0- регулярное в нуле решение системы
ЦТ". Vй ( А - Е У1 (/Vе 1Р) + 0) Р - О , (2.39)
СРЛ|РО-° при , (2.40)
с граничными условиями
ГО(0^0, Гв(г— [31П0 + СОЙ0-К 3 , (2.41)
где К - диагональная матрица с элементами К{-£с- энергия мишени в канале 1, К - матрица реактанса нерезо -нансного рассеяния, G(l''>Г,)- матрица Грина системы (2.39)
[эГг^ЗС^.Г') =Б(г,С'), (2.42)
где^О^/ представляет собой следущий интегродифференциальный оператор