Теоретическое исследование магнитных и электронных свойств низкоразмерных ферромагнетиков и электронных систем, взаимодействующих с графеном

• Автор: Нухов, Азим Кадимович
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 111 с. : ил.

Введение
Глава 1. Основы классической теории спиновых волн
1.1 Предпосылки обменной теории ферромагнетизма к классической теории спиновых волн
1.2 Определение обменного гамильтониана
1.3 Расчёт спектра спиновых волн. Метод диагонализации гамильтониана
1.4 Классическая интерпретация спиновой волны
1.5 Квантовостатистический метод функций Грина в теории ферромагнетизма
1.5.1 Определение метода
1.5.2 Способы решения основных уравнений
Глава 2. Влияние поверхности в классической теории спиновых волн
1.1 Общие положения
2.2 Расчёт спектра
2.3 Обоснование полученного результата
Глава 3. Релаксационные параметры теории спин-волнового затухания
3.1 Начальные замечания
3.2 Релаксационные параметры спинового спектра с учётом влияния поверхности
Глава 4. Электронные состояния системы «эпитаксиальный графен-размерно-квантованная плёнка»
4.1 Постановка задачи
4.2 Общие соотношения на основе техники функций Грина в формализме Каданова-Бейма
4.3 Электронные состояния системы «эпитаксиальный графен - размерноквантованная пленка»
Глава 5. Влияние магнитного и электрического полей на электронные состояния взаимодействующей системы «графен-низкоразмерная система»
5.1 Электронные состояния системы «эпитаксиальный графен - размерноквантованная пленка» в продольном магнитном поле
5.2 Электронные состояния системы «эпитаксиальный графен - размерноквантованная пленка» в поперечном магнитном поле
5.3 Электронные состояния системы «квантовая точка - монослой графена - подложка 5*02 + и+57» в электрическом поле
Заключение
Список литературы

Введение
Актуальность темы
В связи с бурным развитием нанотехнологий, в конце прошлого и начале этого столетий, исследования в области низкоразмерных систем стали одним из приоритетных направлений в физической науки. Расширение области деятельности человечества и возрастание скоростей взаимодействия в различных сферах жизнедеятельности, возрастание стремления людей автоматизировать свой труд, а также стремление сделать технологии более компактными, мобильными и простыми в использовании, поставили перед современными учёными большие задачи в области нанотехнологий, решение которых может удовлетворить большие нужды современного общества.
По многим прогнозам именно развитие нанотехнологий определит облик XXI века, подобно тому, как открытие атомной энергии, изобретение лазера и транзистора определили облик XX столетия.
Вне всяких сомнений, элементная база, основанная на использовании разнообразных низкоразмерных структур, является наиболее перспективной для электронной техники новых поколений. Однако при переходе к системам нанометрового масштаба начинает отчетливо проявляться квантовомеханическая природа квазичастиц в твердом теле. В результате возникает принципиально новая ситуация, когда квантовые эффекты (размерное квантование, конфайнмент, туннелирование, интерференция

стало счётным, введём некое условие периодичности для намагниченностей у+ и у_. Пусть данный период равен ребру Ь некоторого куба. Тогда, если не учитывать граничные эффекты, у+ и /.периодичны с периодом, равным линейным размерам образца. Следовательно значения у+ и у_ равны между собой на противоположных поверхностях.
С учётом того, что
Учитывая сделанные приближения, вычисление интеграла упрощается следующим образом
Для удобства нормировочная постоянная выбирается следующего вида
момента атомного носителя намагниченности (где g- его магнитомеханическое отношение).
Поставляя значение для нормировочной постоянной в формулу (1.22), имеем
(Vy+ • V/. ) = qkqkM' exp{i[a(k)-co(k')]t + i(k-k')г),
и используя (1.19), перепишем (1.18) в следующем виде
(1.20)
(1.21)
Таким образом, (1.20) можно переписать следующим образом
(1.22)

, где fl = geh / 2тс = gflB - есть г - проекция спинового магнитного