Спиновая релаксация и фазовое расслоение в слабодопированных купратах

• Автор: Сафина, Алсу Мансуровна
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 119 с. : ил.

Глава I. Обзор работ о наиболее значимых теориях, предложенных для описания высокотемпературных сверхпроводников, и
о применении метода магнитного резонанса для их
изучения
§ 1.1. Введение
§ 1.2. Электронные модели и элементарные возбуждения
§ 1.3. Магнитный резонанс в ВТСП
§ 1.3.1. Магнитный резонанс в обычных сверхпроводниках
§ 1.3.2. ЭУГ в случае изотропного взаимодействия
§ 1.3.3. Электронный парамагнитный резонанс в ВТСП
§ 1.3.4. Антиферромагнитный резонанс
ГЛАВА II. Режим электронного узкого горла в случае анизотропного
обменного взаимодействия
§ 2.1. Введение
§ 2.2. Метод неравновесного статистического оператора
Зубарева
§ 2.3. Гамильтониан
§ 2.4. Неравновесный и квазиравновесный статистические
операторы
§ 2.5. Кинетические уравнения для поперечных
намагниченностей
§ 2.6. Эффективная ширина линии и §-фактор
§ 2.7. Краткие выводы
Глава III. Квазилокальное движение носителей тока и
трехспиновый полярон
§ 3.1. Введение
§ 3.2. Квазилокальное движение носителей тока вблизи атома
примеси в пределе сильного отталкивания
§ 3.2.1. Эффективный гамильтониан
§ 3.2.2. «Замороженное» квазилокальное движение без учета
трехчастичных взаимодействий
§ 3.2.3. «Свободное» квазилокальное движение без учета
трехчастичных взаимодействий
§ 3.2.4. Квазилокальное движение с учетом трехчастичных взаимодействий
§3.3. Трехспиновый полярон в рамках расширенной модели
Хаббарда
§ 3.4. Краткие выводы
Глава IV. Фазовое расслоение в купратах
§ 4.1. Введение
§ 4.2. Экспериментальные данные
§ 4.3. Поведение узкой линии
§ 4.3.1. Разделение фаз
§ 4.3.2. Взаимодействие поляронов через поле фононов
§ 4.3.3. Оценка величины энергетической щели
§ 4.4. Широкая линия
§ 4.5. Краткие выводы
Глава V. Антиферромагнитный резонанс
§ 5.1. Введение
§ 5.2. Антиферромагнитный резонанс в Gd2Cu04
§5.3. Интенсивности антиферромагнитного резонанса
в Gd2Cu04
§ 5.4. Антиферромагнитный резонанс в La2Cu04:Mn
§ 5.5. Интенсивности резонансных сигналов La2Cu04:Mn

8&В = [х^А (і + ЦіХаГ ) + Х<,іЯ<Л (і + <4^11 )](*і± + Хо±Т (2-94)
Здесь S=2(J^-Jx)|gA^|ga[]цl.
Аналогичным образом находится выражение для д-фактора в случае, когда постоянное магнитное поле перпендикулярно оси симметрии кристалла
§ 2.7. Краткие выводы
Как видно из полученных выражений для ширины линии и д-фактора (2.91), (2.94) и (2.95), анизотропная часть обменного взаимодействия дает вклад как в ширину линии, так и в д- фактор, и скорости релаксации локализованных моментов к электронам проводимости и обратно Г5а и Гот не исчезают в выражении для эффективной ширины линии, т.к. полный спин не коммутирует с гамильтонианом (2.4). Произведение а,;1а в силу (1.5) достаточно велико, и вклад анизотропной части может стать основным, в корне меняя результаты (1.10) и (1.11) для ширины линии и д-фактора в изотропном случае, которые можно получить из наших результатов (2.91), (2.94) и (2.95) полагая = gaX, = glL, = Л±.
Рассмотрим роль этого вклада для парамагнитных примесей в металлах, сравнивая две системы: гадолиний в металле и медь в металле.
Г адолиний находится в ,Ь’-состоянии, поэтому его обменное взаимодействие с электронами проводимости изотропно. Медь же находится в /)-состоянии, и в системе Си-металл обменное взаимодействие становится анизотропным при отклонении симметрии кристалла от кубической. В работе [45] приведены данные по ЭПР в системе А1:Сс4 (рис. 7). Концентрационная зависимость ширины линии свидетельствует о том, что в данном случае имеет место режим электронного узкого горла, несмотря на