Фононные спектры и электронные явления в упорядоченных и неупорядоченных халькогенидах германия

• Автор: Блецкан, Дмитрий Иванович
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ужгород
• Количество страниц: 450 c. : ил

ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА I. ПОЛУЧЕНИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А^ВУ1

1.1.Фазовые равновесия в системах А^-В^

1.2.Структурный полиморфизм дихалькогенидов германия

1.3.Кристаллическая структура и химическая связь в моно -халькогенидах германия

1.4.Образование твердых растворов на основе слоистых соедикений А^-В иА^-в/1

ТУ ут

1.5.Синтез веществ и получение монокристаллов А -В и А1У-В?У1

ТУ ут

1.6.Механизмы роста пластинчатых кристаллов А -В и ТУ УТ

А -В£ из газовой фазы

1.7.Рост нитевидных кристаллов моносульфида германия
1.8.Стеклообразование в системе йе-Б-Бе и физико-хи -мические свойства германатных стекол
Глава II. ОСОБЕННОСТИ ФОНОННЫХ СПЕКТРОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И
СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ
2.1.Изучение переходов порядок-беспорядок в монохалькоге-нидах германия методами колебательной спектроскопии
2.2.Длинноволновые оптические фононы смешанных кристаллов
на основе монохалькогенйдов германия и олова
2.3.Особенности формирования колебательных спектров кри
сталлических дихалькогенидов германия
2.4.Изучение структуры стекол Бе^Х^^Б^е ) методами колебательной спектроскопии
2.5.Низкочастотное комбинационное рассеяние света в стеклообразных сульфидах германия
2.6.ИК- и КР-спектры кристаллических и стеклообразных твердых растворов Се32х8е2('1-х)
Глава III. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ
3.1.Спектры отражения и электроотражения монохалькогенидов германия
3.2.Край собственного поглощения кристаллических и стеклообразных халькогенидов германия
Глава IV. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ФОТОПРОВОДИМОСТЬ КРИСТАЛЛИ
ЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕМАНИЯ
4.1.Электропроводность кристаллических и стеклообразных
халькогенидов германия
4.2.Фотоэлектрические свойства низкоомных кристаллов GeSxSe1_x
4.3.Интерференционные осцилляции фототока в слоистых кри -сталлах GeSxSe^_x
4.4.Процессы прилипания и рекомбинации в высокоомных фото -чувствительных кристаллах GeS
4.5.Электрические и фотоэлектрические свойства нитевидных
кристаллов GeS:In
4.6.Фотопроводимость аморфного GeS
4.7.Влияние перехода кристалл-стекло на фотоэлектрические свойства GeSe2 и PbgeS^
ГЛАВА'У. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ
ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ
5 Л.Низкотемпературная фотолюминесценция кристаллических монохалькогенидов германия и твердых растворов на их основе
5.2.Фотолюминесценция кристаллических и стеклообразных дихалькогенидов германия
5.3.Особенности фотолюминесценции стеклообразных халькогенидов германия переменного состава
5.4.Фотолюминесценция кристаллических и стеклообразных твердых растворов халькогенидов германия

5.5.ЭПР в стеклообразных халькогенидах германия
5.6.Модели плотности состояний и природа дефектов в стеклообразных полупроводниках
Глава V1. ВЛИЯНИЕ ПШМЕСЕЙ НА СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ
6.1.Колебательные спектры легированных стеклообразных халькогенидов германия
6.2.Влияние примесей на электропроводность стеклообраз -ных- халькогенидов германия
6.3.Край собственного поглощения легированных стеклообразных халькогенидов германия
6.4.Влияние примесей на фотолюминесценцию и ЭПР стеклообразных халькогенидов германия
Глава VП. ПРИМЕНЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ
7.1.Высокоразрешающие фоторезисты на основе стеклообраз

ных халькогенидов германия
7.2.Запись стационарных голографических решеток на полупроводниковых соединениях типа А^У-В
7.3.Фотоэлектрические анализаторы линейно-поляризованного

излучения
7.4.Эффект переключения в кристаллических и стеклообраз -ных халькогенидах германия
В Ы В 0 Д Ы
Ж ТЕРАТУРА

ту ут ту УТ
Таблица 1.5. Условия выращивания монокристаллов А В и к
Вещест- во Метод выращи- вания . ГП : исп * : Т : Трасп, . Ф : конд ’ : Т ; икрист, :Продол -:житель -;ность Іроста, ч IОбщий вид кристаллов, :размеры,мм
бег Сублим. 880-890 800-810 20-24 Пластинки до 15x10x0
беБ Бр.-Ст. 960-970 890-900 240-250 ' Цилиндр <1 =10, £
БеБе Сублим. 970-980 810-820 20-24 Пластинки до 15x10x0
БпБ Сублим. ІІ00-ІІІ0 І0І0-І020 20-24 Пластинки до 8x6x0
БпБе Сублим. ІІ00-ІІІ0 1040-1050 20-24 Пластинки до 8x6x0
а-БеБ2 Сублим. 860-870 770-780 25-30 Прямоугольн. столбики до 20x2x0
0С-6еБ2 Бр.-Ст. ІІ50-ІІ60 1080—1090 последующий отжиг при Т=770 К 240-300 Цилиндр £=40~ ’
В—БеБ2 Сублим. 1070-1080 990-1000 20-24 Пластинки до 12x8x0
в-аеБ2 ХТР 1020-1030 930-940 25-30 Пластинки до Юх8х
в-аеБ2 Сублим. 980-990 900-910 20-24 Пластинки до 20x15x0
В-6еБе2 ХТР 930-940 860-870 25-30 Пластинки до 12х8х
В-беБе2 Бр.-Ст. 1040-1050 970-980 240-300 Цилину £=40 ~ ’
В-БеБе2 Сублим. 980-990 910-920 20-24 Пластинки до 12x10x0
2Н-ВпБ2 ХТР 1030-1040 950-960 25-30 Пластинки до 15x12x0
4Н-БпБ2 Бр.-Ст. ІІ50-ІІ60 ІІ00-ІІІ0 250-300 Цилиндр 4=12-15, £
2Н-БпБв2 Сублим. 900-910 830-840 20-24 Пластинки до 12x10x0
4Н-БпБе2 Бр.-Ст. 960-970 900-910 250-300 ЙЕЗВ. £
РЬБеБ5 Бр.-Ст. 900-910 820-830 250-300 УЖ.Л ЗО 4С