Спектры фотоотражения поверхностей и границ раздела n-GaAs

• Автор: Кузьменко, Роман
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Кандидатская
• Место защиты: Б. м.
• Количество страниц: 126 с. : ил.

Библиографическое описание
Кузьменко, Роман
Спектры фотоотражения поверхностей и границ раздела п-ОаАв.
- Галле, Университет Мартина Лютера Галле-Виттенберг
- Отделение физики, Экспериментальная Физика V
- Диссертация, июнь 1993
- 115 стр., 69 рис., 19 табл.
Реферат
Исследуется спектральное фотоотражение (ФО) в области фундаментального перехода Е0 и перехода Е! п-проводящего СаАв и близких по строению зонной структуры полупроводников. В рамках предположения о механизме ФО как “фотомодулированного электроотражения” рассматриваются различные теоретические модели ФО, и в рамках этих моделей изучается влияние на спектральную линию таких параметров, как напряженность поверхностного электрического поля, энергия уширения, глубина проникновения электрического поля и уровень его модуляции. После этого исследуется применимость рассмотренных моделей и аппроксимаций для количественного анализа экспериментальных спектров ФО. При этом определяются их границы и условия, при которых предпринимаемый в их рамках анализ может быть успешно применен для оценки параметров спектров ФО. Полученные данные используются для количественного анализа экспериментальных спектров пассивированных селеном образцов п -(ЗаАв и гомоэпитаксиальных систем п(МВЕ)/п+-ОаА8
Содержание
Список используемых в работе сокращений
Предисловие
1. Введение
2. Теория фотоотражения
2.1. Вводные замечания к фотоотражению
2.2. Различные случаи фотоотражения
2.3. Общая модель для описания спектров ФО
2.4. Моделирование спектров ФО с помощью неуширенной электрооптической О-функции (Г=0)
2.5. Моделирование спектров ФО с помощью уширенной электрооптической И-функции (Г>0)
2.6. Многослоевая модель
2.6.1. Модель приповерхностного слоя полупроводника (приближение Шоттки)
2.6.2. Математический аппарат многослоевой модели
2.6.3. Результаты моделирования
2.7. Расширенная многослоевая модель
2.7.1. Влияние энергии уширения :
2.7.2. Влияние частичной модуляции электрического поля
2.8. Низкополевое приближение
2.8.1. Межзонные переходы
2.8.2. Экситонные компоненты ФО
3. Моделирование спектров ФО для п-ОаАэ
3.1. Корректные расчеты спектров ФО
3.2. Приближенный количественный анализ для определения параметров материала
3.2.1. Неучет зависимостей п(7) и к(Х) в расширенной многослоевой модели
3.2.2. Оценка напряженности электрического поля из периода осцилляций Франца-Келдыша
3.2.3. Определение энергии электронно-оптического перехода и энергии уширения в среднеполевом случае
3.2.3.1. Определение энергии перехода
3.2.3.2. Оценка энергии уширения
3.2.4. Определение энергии электронно-оптического перехода и энергии уширения в низкополевом случае
4. Устройство и способ действия установки для измерения спектров ФО
5. Отдельные применения спектроскопии фотоотражения
5.1. Фотоотражательные исследования образцов ОаАэ, покрытых Бе
5.1.1. О проблеме пассивирования поверхности ваАв
5.1.2. Исследование образцов с толщинами слоев 1(Н-100нм (“тонкие”пассивирующие слои)
5.1.2.1. Определение напряженности поля
5.1.2.2. Анализ спектров
5.1.3. Исследования образцов с толщинами слоев ваез “ЮООнм (толстые пассивирующие слои)
5.2. Исследования гомоэпитаксиальных образцов ваАл, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ-ОаАв)
5.3. Комбинация исследований фотоотражение/ интегральная фотолюминесценция
5.3.1. Интегральные фотолюминесцентные исследования системы БеАЗаАз
5.3.2. Комбинированные исследования ФО/ФЛ
6. Заключение
7. Список литературы
Приложение
1. Низкоэнергетические осцилляции в спектрах фотоотражения системы п/иМЗаАл.-.А!
2. Диаграммы состояний и физические свойства соединений Аш2(Оа)-ВУ13(8,8е,Те) А6
вызывает появление отрицательного низкоэнергетического пика вблизи энергии фундаментального перехода и дополнительное затухание осцилляций;
в) частичная модуляция электрического поля £ - она обусловливает изменение формы линии спектра вблизи энергии перехода и в области осцилляций Франца-Келдыша;
г) отклонения от идеальной формы линии диэлектрической функции вследствие экситонных эффектов - они приводят к возникновению дополнительных структур (компонент) вблизи энергии перехода.
3. Для более сильных эффектов уширения наблюдается переход среднеполевой спектральной формы в инвариантную резонансную структуру. При этом резко сокращается количество информации, содержащейся в спектре ФО.