Электронно-адсорбционные свойства пленок щелочных элементов на поверхности монокристалла германия

• Автор: Сухорский, Юрий Степанович
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Львов
• Количество страниц: 203 c. : ил

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ЩЕЛОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Адсорбция на металлической поверхности

1.1.1. Теоретические представления

1.1.2. Экспериментальные исследования

1.2. Адсорбция на поверхности полупроводников

1.2.1. Чистая поверхность полупроводников

1.2.2. Теоретические представления об адсорбции

на поверхности полупроводников

1.2.3. Экспериментальные исследования адсорбции

на поверхности полупроводников

1.3. Выводы
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Особенности метода полевой эмиссии в применении
к поверхности полупроводников
2.2. Получение атомарно-чистой поверхности германия
2.2.1. Методы получения атомарно-чистой поверхности полупроводников
2.2.2. Полевое испарение полупроводников
2.3. Определение концентрации адсорбата на поверхности
2.4. Измерение работы выхода
2.5. Определение энергии связи
2.6. Устройство экспериментальных ламп
2.7. Источники адсорбатов
2.7.1. Источник калия
2.7.2. Источник натрия
2.7.3. Источник лития

2.8. Откачка экспериментальных ламп и оценка
вакуумных условий
3. ПОЛЕВАЯ ЭМИССИЯ ИЗ НИЗКООМНЫХ ИГОЛЬЧАТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
3.1. Экспериментальные результаты
3.2. Обсуждение результатов
4. СУБМОНО СЛОЁНЫЕ ПЛЕНКИ КАЛИЯ, НАТРИЯ И ЛИТИЯ, АДСОРБИРОВАННЫЕ НА ГРАНЯХ (100) И (III) КРИСТАЛЛА
ГЕРМАНИЯ
4.1. Адсорбция калия на гранях Се(ЮО) и СгЄ(ІІІ)
4.1.1. Работа выхода адсистем К-Схб (100)
и К-&Є (III)
4.1.2. Десорбция полем и энергия связи
4.2. Адсорбция натрия на гранях (г Є (100) и
ОгЄ (ПІ)
4.2.1. Работа выхода адсистем ИОлСтЄ (100) и
Кй-&Є (III)
4.2.2. Десорбция полем и энергия связи
4.3. Адсорбция лития на гранях бб (100) и
. Беті)
4.3.1. Работа выхода адсистем 1_1-£г6 (100) и Ь1-&Є (III)
4.3.2. Десорбция полем и энергия связи
4.4. Обсуждение результатов
5. РАБОТА ВЫХОДА АДСОРБЦИОННОЙ СИСТЕМЫ: ПЛЕНКА ЩЕЛОЧНОГО МЕТАЛЛА - ПОВЕРХНОСТЬ МЕТАЛЛА ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКА
5.1. Адсорбция щелочных элементов на поверхности полупроводника в простейшем рассмотрении
5.2. Модель однородного распределения положительного заряда
5.3. Электронная плотность, электростатическая
энергия и работа выхода
5.4. Правило сумм

5.5. Адсорбция на поверхности металла
5.6. Адсорбция на поверхности полупроводника
5.7. Обсуждение результатов,
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

новым набором состояний с различными энергиями, которые образуют правильные зоны, если новая поверхность имеет периодический характер. Плотность этих новых состояний в запрещенной зоне может отличаться от плотности первоначальных поверхностных состояний. Адатом может передать часть электронного заряда старым или вновь образованным поверхностным состояниям, в результате чего образуется дилольный слой, электронный заряд которого частично погружен в полупроводник, а соответствующий положительный заряд локализован на основе адатома. Образование дипольного слоя приводит к понижению вакуумного уровня.
Комплексное исследование адсорбции Cs, К и отчасти МО-с применением современных методов очистки и контроля структуры поверхностей Si (100), Si (III), G-e (100), Ge (III) было выполнено Вебером и Перия JQ2J. Впервые были получены зависимости работы выхода от абсолютной концентрации адатомов на поверхности. В начале процесса адсорбции, когда степень покрытия поверхности составляет доли монослоя, работа выхода понижается быстро, при увеличении степени покрытия необходимо учитывать деполяризующее действие соседних диполей. Для объяснения адсвя-зи атомов К , CS , MOL с поверхностью S'l и Ge привлекались представления Полинга У84/ об электроотрицательности элементов.
В частности, электростатический вклад в энергию связи оценивается величиной (ХСд Хрп) где X - полинговская электроотрицательность элемента. Согласно Полингу доля ионного типа связи (часть перенесенного электронного заряда) которая может быть названа "степенью ионности" связи, приблизительно равна C.U.= 1-exp{- (Ха-Хв^} что дает, например 0,22 для изолированной W-CS связи