Внутренний фотоэффект в рентгенизированных кристаллах флюорита

• Автор: Кондратенко А.А.
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1949
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 136 с.

JLT Lk в л в н й ,B.

С np.

I . - В В S I в H' й 9 . -І >

П - Оба op ли то ра тура ? - :49

Ш - Описавша ввопоршентаяьной установки. . . 50

17 - Методика измерений я. «одгоаоапа образцов в иссяодовашге

УРезультати намерений

Д. Спок гральноо раепроделанио прямого

я обратного фо готов а

S. Зав не им о с.ть прямого и обратного.

• $оготовa or арэменя при разных гем-

■. м#Ьь•
пера тур ах к темповых npoaej^simx***'•vtSÜ - 104 В. Зависимоегь первичного фоготова от •напрявакая в слабо рентгенизированных кристаллах флюорита 105 - IXб
71 - Обсуждение результатов 116
УП * В ы в о д s 123
7Ш - Использованная литература
••• І . В В В. а И К а- сі' ■ - г ■
ИЗвес ~пи, 420 такне диолектричосшіе кристаллы* вав калоид-ные соёдинония щелочных II ЩЄЛОЧЕО-земельных Металлов* Э ЧИС ТОМ ‘ виде обладав! оптической прозрачностью в видимой и близкой уль-> трафи оле тобой области с пек ар а. Измеримое собственное поглощение
отих кристаллов обнаруживается только в далеком .-ультрафиолете;,, которое сопровождается незначительной фотопроводимостью.
После предвари тельной активизации / окрашивания/ кристаллы этих солей обнаруживают новую'подо су поглощения, лежащую в видимой или близкой ультрафиолетовой области спектра. Поглощение
света в новой полоее сопровождается значительной фотопроводимо-I
С ТЬЮ. • : V ;/ . ; ; - ■ - у " ,
Является общепринятой точкой зрения, что окрашивание- -кристаллов сводится и образованию, -вблизи нарушения периодичности
’ решетк-и, .новых ..локальных состояний-электронов / ^ - центров
.... • 'Г ' ~ * > -• -г _
энергетические уровни которых расположены в. запретной воне энер-? гии под зоной проводешости кристалла.
Возникающая при этом новая полоса поглощения света соответствует -пере ходу электронов с ? -центров в зону-проводимости ; V'' кристалла. Наличие освобожденных электронов можно обнаружить фо-
> готовом, возникающим при наложении электрического поля. При-этом
ширима полосы поглощения света, выраженная в единицах энергии,-дает примерную ширину зоны проводимое ти *• а положение ее максимум ■ ма определяет расстояние от центра воны дэ исходного уровня,-
р
Іїз общих положений квантовой механики вытекает*^ что центры' окраски, как и любые локальные состояния электрона, мо-• гут образоваться только вблизи некоторого нарушения периодично-’ г с ти потенциала в кристалле. Такими нарушениями периодичности
в кристалле могут явиться внутренние микроскопические трещины и полости* механические напряжения* а танке, ионы галоида* находя-. ■щиеея а нерегулярных местах кристаллической решетки и т.п.
Согласно представлениям ФРЕНКЕЛЯ3^ ТАР ТАКОВСКОГО, 4/ КАЛА-' ЕУХОВА^Л ПОЛЯ которых придерживается и автор,
./■-центры представляют собой, ионы щелочного металла* захватившие по электрону и превратившиеся в квази-ней тральные атомы щелоча ного металла. •
В настоящее время наиболее подробно экспериментально иву- . чены свойства окрашенных шел очно-галоидных кристаллов. Следует особо отметить заслуги в этой об-ласяи советских физиков П.С.
ТАР ТАКОВСКОГО * Н .-П-.КАЛАБУЛОВА *•■ В .П-ЛВДУШОГО * Н.НфВДЕНБЕВА,
В.М .КУ^ЯВПЕВОЙ,,;М .Л..КАЦА ■ ,.М .Н .ДЬЯЧЕНКО, С.А. АРЩМШЕВА и др.4/ Много ценных исследований произведено также ПОЛЕМ и его со труд *■ никами,.'
Характерной особенностью окрашенных ионных диэлектрических кристаллов является почти полное совпадение иривых спектрального распределения поглощения и фото ток а* рассчитанного на едини-'

цу падающей энергии, Поэтому исследование спектрального распределения фототека является одним ив способов изучения-, как природа, тех центров--, откуда освобождаются электроны, переносящие фстоток, так и распределения локальных энергетических уровней электронов в данном кристалле. Так, например, ив наблюдений спектрального распределения фото тог. а к рентгенизированной каменкой соли можно сделать вывод, что расстояние от энергетического уровня центров окраски / ./ -центров/ до зоны прсводимости кристалла равно 2,72 "яМ » осли считать,, что при температуре жидкого воздуха максимум фототока лежит при 4 = 455 •

Ъ&хщ ©фразоа* в ©(гяичяе- ос уяьграфйояесез.бй я&Ш1Шш£еао*щ ■ Яраесш&а, которая об'уодозйеаа раопедсм ^ *-аей«ров,'С чсо ориводй« я ©0 боа* едавши» 0ри©«щш%. лдщшщсаеацщ а вадшей чае?и оош«ра • с-шшй о обрасанинием ^ >-цш1^ров а окраской араояеляа* -, . . .ВЕг&газ'вяшае соображения ]{ада о процессах пагдощоиш » лшяшве*
цшшвд в щелоча© .-ршхокдаШ; крйссшшвх, по ааашу инепт, ■лвйт'Жя -; еущоствешшм додрлишаш к ех-ше эаоргесячееких урешей электронов, прсдлошезяой 'ЭарсакоошсШй .. •
Однаш ояедуе« от&тлтъ-щч«о т все найшдаешв огшачесгш© ■ т ■фО‘№шетрте&м& явлашш ааходя« ов*реятж. яря ооищв ттш шгзксрвнгшй уровней* дане с учетш вгюгь ©Юфшрвк. урштей.-/” а Щщ Вт щ& а© йзвео'гша аяогае пршаш%. а «акав условия, при •. :'*р .»говорах появляется сот шш жшш энергетический урезшь в криотая« .««# ,-1% не иэаее^ с&едуе«- ©гиегзга» яч» взучеаве уйь«рафшдб«озс8 , а вщишё дшагшоцзишш в онр&аэнщзк мелочно -ршшидакх ириоъ&атя,. •■ наряду е иесяфдовшшш внутреннего -фо«оаффвк«а*. является очен в вав-. шш |ае$©до& шксеэаш аяергешчеоких увдшэдй ж переходов. ряентро»
■■ -яо» «ееду штт $рошгт* © %щтт деформаций а Фетврмуршх аамв-ае*щ§* .•.ямео»е-с э«ш аш жтщоа&шш; позволили вкощаасб .ряд весь-й£8. ттвк еооЗрааешй ве только о дох&гшаыа яшш(®еценцш, а© а Тыпф дать 0олее глубоко® сешкоишке ©агщгескш а фогоолазгрече* еи$ш нэятнш » щелочяс *гш1эндннх яржя&тех*
В 'краткой об зоре дашо&шшш яодеразуры ш осзан&йшшщшсаг ш более явяервсшах, с яаввГг сочка зрения, - рабочая по даоле дева- .. Ш 0П«ЕЧ9Сйах Й фОСОЭЛШ12рйЧеС1ШХ ЖЗДеЩй£ Л ф(Э?0ХИШ1чей*И ОКре-шеашдх кристг-шгел ^/оё£9 как ашболе© изученного врвдо«в2й«едя И53я©чио»г©лоадаых солей, уэдшав&я ври это», ч®& и в других щелоч-ко-галшидння кристаллах эти явления сротекешг аналогично* -..кан а в . птетШ с сям#*